一、實驗?zāi)康?br />     1、學(xué)習(xí)片外存貯器擴展方法。
    2、學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)存貯器不同的讀寫方法。
    3、學(xué)習(xí)片外程序存貯器的讀方法。
二、實驗內(nèi)容
1.實驗原理圖：

 
2、實驗內(nèi)容
    （1）使用一片2764EPROM，作為片外擴展的程序存貯器，對其進行讀。
    （2）使用一片6264RAM，作為片外擴展的數(shù)據(jù)存貯器，對其進行讀寫(使用鍵盤監(jiān)控命令和程序運行兩種方法)。
3、實驗說明
    （1）在使用鍵盤監(jiān)控命令讀片外擴展的程序存貯器2764中內(nèi)容時，由于本系統(tǒng)中該程序存貯器作為用戶目標系統(tǒng)的程序存貯器，因此DVCC系統(tǒng)必須處于仿真2狀態(tài)，即“H.....”態(tài)，用MEM鍵即可讀出。
    （2）在使用鍵盤監(jiān)控命令讀寫片外擴展的數(shù)據(jù)存貯器6264中的內(nèi)容時，由于本系統(tǒng)中該數(shù)據(jù)存貯器作為用戶目標系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存貯器，因此DVCC系統(tǒng)處于仿真1態(tài)(“P.....”態(tài))或仿真2態(tài)(“H.....”態(tài))，用ODRW鍵即可讀寫。
    （3）讀寫數(shù)據(jù)的選用。
    本實驗采用的是55H(0101，0101)與AAH(1010，1010)，一般采用這兩個數(shù)據(jù)的讀寫操作就可查出數(shù)據(jù)總線的短路、斷路等，在實驗調(diào)試用戶電路時非常有效。
    （4）在仿真1態(tài)即“P.....”狀態(tài)下，編寫程序?qū)ζ鈹U展的數(shù)據(jù)存貯器進行讀寫，若L1燈閃動說明RAM讀寫正常。
三、程序
程序清單：
        ORG   0C80H
        MOV        DPTR,#8000H
        MOV        R6,#0FH
        MOV        A,#55H
RAM1:  MOV        R7,#0FFH
RAM2:  MOVX  @DPTR,A
        CLR   P1.0
        INC   DPTR
        DJNZ        R7,RAM2
        DJNZ        R6,RAM1
        MOV DPTR,#8000H
        MOV R6,#0FH
RAM3:  MOV R7,#0FFH
RAM4:  MOVX       A,@DPTR
        CJNE A,#55H,RAM6
        SETB P1.0
        INC    DPTR
        DJNZ R7,RAM4
        DJNZ R6,RAM3
RAM5:  CLR    P1.0
        CALL  DELAY
        SETB P1.0
        CALL        DELAY
        SJMP RAM5
DELAY:       MOV    R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
        DJNZ R4,$
        DJNZ R5,DELAY1
        RET
RAM6:  SETB P1.0
        SJMP RAM6
        END
四、實驗步驟
    1、片外擴展程序存貯器的讀。
      (1)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS2區(qū)XD0—XD7，同樣用排線將A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
      (2)PGM插孔連到+5V插孔。
      (3)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
      (4)OE插孔連到BUS3區(qū)XPSEN插孔。
      (5)在DVCC系統(tǒng)處于“P?”狀態(tài)下，按F1鍵進入仿真2態(tài)(“H.....”狀態(tài))。
      (6)輸入四位程序存貯器地址8000后按MEM鍵讀出2764中的內(nèi)容。
    2、片外擴展數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用鍵盤監(jiān)控命令)
      (1)取出RAM/EPROM區(qū)中的實驗監(jiān)控，再插上數(shù)據(jù)存貯器6264。
      (2)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS1區(qū)XD0—XD7，A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
      (3)WE插孔與BUS3區(qū)XWR相連。
      (4)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
      (5)OE插孔連到BUS3區(qū)XRD插孔。
      (6)CS2插孔與+5V插孔相連。
      (7)在DVCC系統(tǒng)處于“P?”狀態(tài)下，按F2鍵進入仿真1態(tài)(即“P.....”)或按F1鍵進入仿真1態(tài)(即“P.....”)。
      (8)輸入四位地址8000后按ODRW鍵可讀寫6264中的內(nèi)容。
    3、片外數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用程序)
步驟同上①—⑥。
      (7)按框圖編制程序，在上位機上進行編譯，鏈接形成Hex(或ABS)最終目標文件，然后傳送到DVCC實驗系統(tǒng)仿真RAM區(qū)中。
(8)在“P?”狀態(tài)下，按F2鍵，進入仿真1態(tài)(“P.....”)，從起始地址0C80H開始連續(xù)運行程序。對6264進行讀寫。若L1燈閃動，表示6264 RAM讀寫正常。