單片開(kāi)關(guān)電源瞬態(tài)干擾抑制技術(shù)

時(shí)間：2012-04-04 12:05:09

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[導(dǎo)讀]為確保單片開(kāi)關(guān)電源正常工作，必須在電路設(shè)計(jì)和制造工藝上采取相應(yīng)措施，有效地抑制瞬態(tài)干擾及音頻噪聲，為此闡述其抑制方法與改進(jìn)電路。關(guān)鍵詞：?jiǎn)纹_(kāi)關(guān)電源瞬態(tài)干擾音頻噪聲抑制電磁兼容性１抑制瞬態(tài)干擾瞬態(tài)

為確保單片開(kāi)關(guān)電源正常工作，必須在電路設(shè)計(jì)和制造工藝上采取相應(yīng)措施，有效地抑制瞬態(tài)干擾及音頻噪聲，為此闡述其抑制方法與改進(jìn)電路。

關(guān)鍵詞：?jiǎn)纹_(kāi)關(guān)電源瞬態(tài)干擾音頻噪聲抑制電磁兼容性

１抑制瞬態(tài)干擾

瞬態(tài)干擾會(huì)造成單片開(kāi)關(guān)電源輸出電壓的波動(dòng)；當(dāng)瞬態(tài)電壓疊加在整流濾波后的直流輸入電壓ＶＩ上，使ＶＩ超過(guò)內(nèi)部功率開(kāi)關(guān)管的漏－源擊穿電壓Ｖ（ＢＲ）ＤＳ時(shí)，還會(huì)損壞ＴＯＰＳｗｉｔｃｈ芯片，因此必須采用抑制措施。

闡述抑制瞬態(tài)干擾的方法。其改進(jìn)電路如圖２所示，主要做了以下改進(jìn)：①將交流兩線輸入方式改成三線輸入方式，Ｇ端接通大地；②采用兩級(jí)電磁干擾（ＥＭＩ）濾波器，為避免兩個(gè)ＥＭＩ濾波器在產(chǎn)生諧振時(shí)的干擾信號(hào)互相疊加，應(yīng)使Ｌ２（Ｌ３）≤１０ｍＨ，Ｌ３≥２Ｌ２；③增加Ｃ９和Ｌ４，并將Ｃ８換成０．１μF普通電容器。C7～C9為安全電容，分別與高頻變壓器的引出端相連。其中，C7接初級(jí)直流高壓的返回端，C8接次級(jí)返回端，C9接初級(jí)直流高壓端。它們的共端則經(jīng)過(guò)濾波電感L4接通大。L4用鐵氧體磁環(huán)繞制而成。設(shè)計(jì)負(fù)印制板時(shí)，連接C7～C9的各條印制導(dǎo)線應(yīng)短而寬。采用上述連接方式可保證瞬態(tài)電流被C7～C9旁路掉，而不進(jìn)入TOP202Y中。此外，反饋繞組接地端和C4的引出端，各經(jīng)一條單獨(dú)導(dǎo)線接TOP202Y的對(duì)應(yīng)管腳。旁路電容C5直接跨在控制端與源極上，以減小控制端上的噪聲電壓。④增加電阻R6，其阻值范圍在270～620Ω，它與光耦合器發(fā)射極相串聯(lián)。當(dāng)控制環(huán)路失控時(shí)，R6能限制峰值電流，使之小于芯片中關(guān)斷觸發(fā)器的關(guān)斷電流。

２抑制音頻噪聲