硬件介紹：

要對(duì)Flash讀寫(xiě)，首先要了解MSP430的存儲(chǔ)器組織。430單片機(jī)的存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)采用馮諾依曼結(jié)構(gòu)，RAM和ROM統(tǒng)一編址在同一尋址空間中，沒(méi)有代碼空間和數(shù)據(jù)空間之分。

一般430的單片機(jī)都統(tǒng)一編址在0-64k地址范圍中，只有少數(shù)高端的型號(hào)才能突破64k（如：FG461x系列）。絕大多數(shù)的msp430單片機(jī)都編址在64kB范圍內(nèi)。地址的大概編碼方式如下：

這是msp430f425的存儲(chǔ)器分配圖，其他在64k范圍內(nèi)的存儲(chǔ)器的單片機(jī)編址方式與此類似：低256B是寄存器區(qū)，然后是RAM；空白；1000H到10FFH是信息Flash區(qū)；大于1100H-0FFFFH是主存儲(chǔ)器區(qū)(從0FFFFH開(kāi)始往低地址有單片機(jī)的主Flash，多余的部分空白)。

MSP430F14x的Flash分布：

MSP430F16x的Flash分布：

主Flash部分和信息Flash部分如下(60kB Flash對(duì)應(yīng)的單片機(jī)，如msp430f149、msp430f149)：

主Flash分為以512B為段的單位，0段是單片機(jī)中斷向量等程序入口地址，使用時(shí)不要擦除此段或改寫(xiě)此段，若要擦除或是改寫(xiě)，請(qǐng)先保存內(nèi)容到RAM或其他段；主Flash各段內(nèi)容均要避免寫(xiě)入或擦除，以免造成不可預(yù)料的后果。

信息Flash分為兩段：段A和段B，每段128B；可以保存用戶自己的內(nèi)容(主Flash也可以但是要避免與程序代碼區(qū)沖突)；這里就把信息Flash的兩段稱為InfoA(1080H-10FFh)和InfoB(1000H-10FFH)。

Flash的操作包括：字或字節(jié)寫(xiě)入；塊寫(xiě)入；段擦除；主Flash擦除；全部擦除。任何的Flash操作都可以從Flash或從RAM中運(yùn)行。

Flash操作時(shí)需要時(shí)序發(fā)生器，F(xiàn)lash控制器內(nèi)部含有時(shí)序發(fā)生器用以產(chǎn)生所需的Flash時(shí)鐘，F(xiàn)lash時(shí)鐘的范圍必須在257kHz到476kHz之間。時(shí)序發(fā)生器的框圖如下：

時(shí)序發(fā)生器可以選擇ACLK、MCLK、SMCLK作為時(shí)鐘源，通過(guò)分頻獲得所需的257kHz到476kHz之間的Flash操作時(shí)鐘。如果時(shí)鐘頻率不再這個(gè)范圍內(nèi)，將會(huì)產(chǎn)生不可預(yù)料的結(jié)果。

擦除：擦除之后，存儲(chǔ)器中的bit都變?yōu)?；Flash中的每一位都可以通過(guò)編程寫(xiě)入有1到0，但是要想由0變?yōu)?，必須通過(guò)擦除周期。擦除的最小單位是段。有三種擦除模式：

MERASERASEEraseMode
01Segmenterase
10Masserase(allmainmemorysegments)
11Eraseallflashmemory(mainandinformation.segments)

可以通過(guò)MERAS、ERASE位來(lái)設(shè)置擦除的模式：段擦除，主Flash擦除，全部擦除。

對(duì)要擦除段內(nèi)的一個(gè)地址空寫(xiě)入啟動(dòng)擦出周期：空寫(xiě)入可以啟動(dòng)時(shí)序發(fā)生器和擦除操作。空寫(xiě)入后BUSY位立即變高直到擦除周期結(jié)束，這一位變?yōu)榈?0)。BUSY, MERAS和 ERASE位在擦除周期結(jié)束后會(huì)自動(dòng)復(fù)位。擦除周期的時(shí)間和要擦出的Flash大小無(wú)關(guān)，每次擦除的時(shí)間對(duì)于MSP430F1xx系系列單片機(jī)來(lái)說(shuō)，所需時(shí)間是一樣的。擦除的時(shí)序如下：

當(dāng)空寫(xiě)入到的地址不在要擦除的段地址范圍內(nèi)的時(shí)候，空寫(xiě)入無(wú)效，直接被忽略。在擦除周期內(nèi)，應(yīng)該關(guān)中斷，直到擦除完成，重新開(kāi)中斷，擦除期間的中斷已經(jīng)置標(biāo)志位，開(kāi)中斷后立即響應(yīng)。

從Flash中啟動(dòng)的擦除操作：擦除操作可以從Flash中啟動(dòng)或是從RAM中啟動(dòng)。當(dāng)操作是從Flash中啟動(dòng)的時(shí)候，F(xiàn)lash控制器控制了操作時(shí)序，CPU運(yùn)行被暫停直到擦除結(jié)束。擦除周期結(jié)束后，CPU繼續(xù)執(zhí)行，從空寫(xiě)入之后的指令開(kāi)始運(yùn)行。當(dāng)從Flash中啟動(dòng)擦除操作時(shí)，可以擦除即將運(yùn)行的程序所在的段，如果擦除了即將運(yùn)行的程序所在的Flash段時(shí)，擦除結(jié)束后，CPU的運(yùn)行不可預(yù)料。

從Flash啟動(dòng)時(shí)擦除周期如下：

用戶指南里面的示例匯編程序如下：

;SegmentErasefromflash.514kHz
從RAM中啟動(dòng)擦除操作：任意擦除周期都可以從RAM啟動(dòng)，這時(shí)CPU不再暫停而是繼續(xù)從RAM中運(yùn)行接下來(lái)的程序。CPU可以訪問(wèn)任何Flash地址之前，必須檢查BUSY位以確定擦除周期結(jié)束。如果BUSY = 1訪問(wèn)Flash，這是一個(gè)訪問(wèn)沖突，這時(shí)ACCVIFG將被設(shè)置，而擦除的結(jié)果將是不可預(yù)測(cè)的的。
從RAM中啟動(dòng)擦除操作時(shí)，過(guò)程如下：
要在擦除之前確認(rèn)沒(méi)有訪問(wèn)Flash，然后擦除完成之前不允許訪問(wèn)Flash。
;SegmentErasefromRAM.514kHz
寫(xiě)Flash操作：寫(xiě)入的模式由WRT和BLKWRT位來(lái)確定：
BLKWRTWRTWriteMode
01Byte/wordwrite
11Blockwrite
這兩種模式中塊寫(xiě)入大約是字或字節(jié)寫(xiě)操作時(shí)的兩倍快，因?yàn)樵趬K寫(xiě)入完成之前，變成電壓一直維持直到塊寫(xiě)入完成。同一個(gè)位置不能在擦除周期之前寫(xiě)入兩次或以上，否則將發(fā)生數(shù)據(jù)損壞。寫(xiě)操作時(shí)，BUSY位被置1，寫(xiě)入完成后，BUSY被自動(dòng)清零。如果寫(xiě)操作是從RAM發(fā)起的，在BUSY=1時(shí)，程序不能訪問(wèn)Flash，否則會(huì)發(fā)生訪問(wèn)沖突，置位ACCVIFG，F(xiàn)lash寫(xiě)入操作不可以預(yù)料。
字或字節(jié)寫(xiě)入：字或字節(jié)寫(xiě)入可以從Flash內(nèi)部發(fā)起，也可以從RAM中發(fā)起。如果是從Flash中啟動(dòng)的寫(xiě)操作，時(shí)序?qū)⒂蒄lash控制，在寫(xiě)入完成之前CPU運(yùn)行將被暫停。寫(xiě)入完成后CPU將繼續(xù)運(yùn)行。
操作時(shí)序如下：
若是從RAM中啟動(dòng)寫(xiě)Flash，程序?qū)⒗^續(xù)從RAM中運(yùn)行。CPU再次訪問(wèn)Flash之前必須確認(rèn)BUSY位已經(jīng)清零，否則會(huì)發(fā)生訪問(wèn)沖突，置位ACCVIFG，寫(xiě)入的結(jié)果將不可預(yù)料。
字或字節(jié)寫(xiě)入模式下，內(nèi)部產(chǎn)生的編程電壓時(shí)適用于完整的64個(gè)字節(jié)塊的寫(xiě)入
Inbyte/wordmode,theinternally-generatedprogrammingvoltageisapplied
tothecomplete64-byteblock,eachtimeabyteorwordiswritten,for32ofthe
35fFTGcycles.Witheachbyteorwordwrite,theamountoftimetheblockis
subjectedtotheprogrammingvoltageaccumulates.Thecumulative
programmingtime,tCPT,mustnotbeexceededforanyblock.Ifthecumulative
programmingtimeismet,theblockmustbeerasedbeforeperformingany
furtherwritestoanyaddresswithintheblock.
從Flash發(fā)起寫(xiě)字節(jié)或字時(shí)：
;Byte/wordwritefromflash.514kHz0FF1EhMOV#FWKEY,&FCTL1;Done.ClearWRTMOV#FWKEY+LOCK,&FCTL3;SetLOCK...;Re-enableWDT?EINT;Enableinterrupts