一、進(jìn)入SLEEP

執(zhí)行一條"SLEEP"指令即可進(jìn)入低功耗模式。當(dāng)進(jìn)入SLEEP后，WDT被清零，然后重新開始計(jì)數(shù)。狀態(tài)寄存器F3K中的PD位被置成"0"，TO位置成"1"，同時(shí)振蕩停止（指OSC1 端的振蕩電路）。所有的I/O口保持原來(lái)的狀態(tài)。這種工作模式功耗最低。

為使耗電流最小，進(jìn)入SLEEP前，應(yīng)使所有的I/O口處于高電平VDD或低電平VSS，而不應(yīng)使其處于高阻態(tài)，以免產(chǎn)生開關(guān)電流損耗。你可以在I/O口加上拉或下拉電阻，或者把I/O口都置成輸出態(tài)來(lái)避免其處于高阻態(tài)（浮態(tài)）。

RTCC端亦應(yīng)置為VDD或VSS（通過(guò)上拉或下拉）。
MCLR必須處于高電平狀態(tài)。

二、喚醒SLEEP

SLEEP可被WDT溢出喚醒；或在MCLR端加低電平喚醒SLEEP。后一種喚醒方法經(jīng)常用在以下應(yīng)用場(chǎng)合：在系統(tǒng)主電源掉電，并由后備電源（電池）供電后，執(zhí)行"SLEEP"指令進(jìn)入低功耗模式，這樣電池就可長(zhǎng)時(shí)間保持系統(tǒng)數(shù)據(jù)。當(dāng)主電源恢復(fù)供電時(shí)，讓其在MCLR產(chǎn)生一低電平喚醒SLEEP，并重新復(fù)位。這樣需在MCLR端加一外部復(fù)位電路，請(qǐng)參考§1.10.5。

系統(tǒng)上電時(shí)，F(xiàn)3的PD被置為"1"，而執(zhí)行"SLEEP"指令后，PD位被置成"0"。所以通過(guò) PD位可以判斷系統(tǒng)是從SLEEP模式喚醒而復(fù)位，還是上電后的復(fù)位。F3中的TO位則可判斷當(dāng)處于SLEEP狀態(tài)的系統(tǒng)是由WDT溢時(shí)喚醒或是由外界給MCLR端一個(gè)低電平而喚醒。這些區(qū)別有時(shí)是很重要的，特別是對(duì)系統(tǒng)的一些初始化