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[導(dǎo)讀]1. 讀取半字(16位)函數(shù)//讀取指定地址的半字(16位數(shù)據(jù))//faddr:讀地址(此地址必須為2的倍數(shù)!!)//返回值:對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù).u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr){return *(vu16*)faddr;}2. 不進(jìn)行檢查的直接寫(xiě)入//不檢查的

1. 讀取半字(16位)函數(shù)

//讀取指定地址的半字(16位數(shù)據(jù))

//faddr:讀地址(此地址必須為2的倍數(shù)!!)

//返回值:對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù).

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)

{

return *(vu16*)faddr;

}

2. 不進(jìn)行檢查的直接寫(xiě)入

//不檢查的寫(xiě)入

//WriteAddr:起始地址

//pBuffer:數(shù)據(jù)指針

//NumToWrite:半字(16位)數(shù)

void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

u16 i;

for(i=0;i

{

FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);

WriteAddr+=2;//地址增加2.一次寫(xiě)入一個(gè)半字(16位數(shù))

}

}

3. 從指定地址讀取指定長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)

//從指定地址開(kāi)始讀出指定長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:數(shù)據(jù)指針

//NumToWrite:半字(16位)數(shù)

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)

{

u16 i;

for(i=0;i

{

pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//讀取2個(gè)字節(jié).

ReadAddr+=2;//偏移2個(gè)字節(jié).

}

}

4.從指定地址開(kāi)始寫(xiě)入指定長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)

程序的思路





//從指定地址開(kāi)始寫(xiě)入指定長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)

//WriteAddr:起始地址(此地址必須為2的倍數(shù)!!)

//pBuffer:數(shù)據(jù)指針

//NumToWrite:半字(16位)數(shù)(就是要寫(xiě)入的16位數(shù)據(jù)的個(gè)數(shù).)

#if STM32_FLASH_SIZE<256

#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字節(jié)

#else

#define STM_SECTOR_SIZE 2048

#endif

u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字節(jié)

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

u32 secpos; //扇區(qū)地址

u16 secoff; //扇區(qū)內(nèi)偏移地址(16位字計(jì)算)

u16 secremain; //扇區(qū)內(nèi)剩余地址(16位字計(jì)算)

u16 i;

u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址

if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 ,先確定所要寫(xiě)的地址是不是非法地址

FLASH_Unlock(); //解鎖


offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //實(shí)際偏移地址.

secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇區(qū)地址 0~127 for STM32F103RBT6,確定在哪個(gè)頁(yè)或扇區(qū)

secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇區(qū)內(nèi)的偏移(2個(gè)字節(jié)為基本單位.)

secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇區(qū)剩余空間大小

if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于該扇區(qū)范圍

while(1)

{

STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//讀出整個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容,讀到STMFLASH_BUF中

for(i=0;i

{

if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除

}

if(i上面的校驗(yàn)在中途退出,i一定是小于secremain,否則全部校驗(yàn)成功應(yīng)該是等于secremain.

{

FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除這個(gè)扇區(qū)

for(i=0;i

{

STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i]; //把需要更新的數(shù)據(jù)寫(xiě)到數(shù)組

}

STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//寫(xiě)入整個(gè)扇區(qū)

}

elseSTMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//寫(xiě)已經(jīng)擦除了的,直接寫(xiě)入扇區(qū)剩余區(qū)間.

if(NumToWrite==secremain)break;//寫(xiě)入結(jié)束了

else//寫(xiě)入未結(jié)束

{

secpos++; //扇區(qū)地址增1

secoff=0; //偏移位置為0

pBuffer+=secremain; //指針偏移

WriteAddr+=secremain; //寫(xiě)地址偏移

NumToWrite-=secremain; //字節(jié)(16位)數(shù)遞減

if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一個(gè)扇區(qū)還是寫(xiě)不完

else secremain=NumToWrite;//下一個(gè)扇區(qū)可以寫(xiě)完了

}

};

FLASH_Lock();//上鎖

}


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