朱老師ARM裸機(jī)學(xué)習(xí)筆記（二）：S5PV210的內(nèi)存映射
S5PV210簡介
S5PV210是基于ARM Crotex-A8架構(gòu)32位CPU的微處理器。
內(nèi)部擁有32根地址線和32位數(shù)據(jù)線，32根地址線決定了CPU的地址空間最大為4G，這4G的內(nèi)存空間如何分配，就是內(nèi)存映射
S5PV210 datasheet中section 01_02章節(jié) MEMORY MAP有講。
內(nèi)存分布圖如下
內(nèi)存分布表如下
ROM : Read Only Memory 只讀存儲(chǔ)器（只不能直接通過地址總線更改數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器）
RAM : Ramdom Access Memory 隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 （隨機(jī)存儲(chǔ)器，指可以隨便在任何一個(gè)地址讀寫數(shù)據(jù)，例如內(nèi)存；與之對(duì)應(yīng)的是順序存儲(chǔ)器，必須按照順序進(jìn)行讀寫，想讀取第二個(gè)數(shù)據(jù)，必須先讀出第一個(gè)數(shù)據(jù)，再讀出第二個(gè)數(shù)據(jù)，例如Flash）
IROM ： Internal ROM 內(nèi)部ROM，集成在SOC上的ROM
IRAM ： Internal RAM 內(nèi)部RAM，集成在SOC上的RAM
DRAM ： dynamic RAM 動(dòng)態(tài)RAM(電容式存儲(chǔ)，需要不斷刷新才能保存數(shù)據(jù))
SRAM ： static RAM 靜態(tài)RAM（具有靜態(tài)存取功能，不需要刷新電路）
DRAM和SRAM的區(qū)別：SRAM優(yōu)點(diǎn)：速度快，使用簡單，不需要刷新，靜態(tài)功耗極低。缺點(diǎn)：元件數(shù)多，集成度低，運(yùn)行功耗大。DRAM優(yōu)點(diǎn)：集成度遠(yuǎn)高于SRAM，功耗低，價(jià)格便宜缺點(diǎn)：需要刷新，外圍電路復(fù)雜，刷新也使存取速度較慢。
SDRAM ： synchronous dynamic random access memory 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指 Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。
SROMC_BANK0 ： SROM contrler BANK0 (SROM 控制器單元0）。
DMZ是英文“demilitarized zone”的縮寫，中文名稱為“隔離區(qū)”，也稱“非軍事化區(qū)”。
S5PV210內(nèi)存映射講解DRAM0 DRAM1 說明S5PV210能夠外接兩塊內(nèi)存芯片，支持的最大地址空間分別是 512MB和1GB，也就是說最大支持1.5G的內(nèi)存。
SROMC_BANK0 - SROMC_BANK5,是六個(gè)SROM控制器單元，能夠外接六個(gè)SROM器件，如 網(wǎng)卡芯片等。
此外還有兩個(gè) IROM&IRAM，具體分布情況如下
零地址處 IROM&IRAM，其實(shí)并不存在，而是映射自0xD000_0000 - 0xD800_0000的IROM&IRAM，或者SROM_BANK0-SROM_BANK5，從而可以選擇多種啟動(dòng)方式。
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