對(duì)于STM8S103F3這款芯片來(lái)講，存在640個(gè)字節(jié)的EEPROM，當(dāng)然如果有外部EEPROM，自然是不會(huì)使用到內(nèi)部的EEPROM的。但小東西也有大用途，例如做無(wú)線應(yīng)用時(shí)，減少成本的情況下，還能保存一些特定設(shè)置，如：休眠時(shí)間，工作頻率，輸出功率，密碼等。

下圖所示，STM8S系列EEPROM大小一目了然。

操作EEPROM自然分成讀操作和寫操作，先查看STM8S的手冊(cè)描述如下：

中文手冊(cè)上的存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)存在錯(cuò)誤，如：

對(duì)應(yīng)英文手冊(cè)如：

對(duì)應(yīng)的代碼如下；

char*p=0x4000;

u8a,b,c;

a=*p;

b=*p++;

c=*p++;

就像C8051操作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一樣，只需要簡(jiǎn)單通過(guò)指針指向0x4000位置即可。

寫操作，則有些小麻煩，主要是STM8S的存儲(chǔ)區(qū)安全機(jī)制問(wèn)題。

中文手冊(cè)描述：

英文手冊(cè)描述：

u8write_header(header*h)

{

u8*p=(u8*)EP_HEADER_ADDR;//EP_HEADER_ADDR0x4000

if(!h)

return0;

/*操作EEPROM，需要先進(jìn)行解鎖*/

FLASH_DUKR=0xAE;//注意這里不能斷點(diǎn)調(diào)試，否則會(huì)造成內(nèi)部不同步，F(xiàn)LASH解鎖失敗

FLASH_DUKR=0x56;

FLASH_CR2=0x00;

FLASH_NCR2=0xFF;

if(!(FLASH_IAPSR&0x08))//檢測(cè)對(duì)應(yīng)的位是否解鎖

return0;

_memcpy(p,(u8*)h,sizeof(header));

FLASH_IAPSR=(u8)(~0x08);//重新上鎖

return1;

}

執(zhí)行解鎖后，操作也是非常簡(jiǎn)單的。

總結(jié)：

1、STM8S內(nèi)部EEPROM使用還是挺方便的，只有寫操作時(shí)需要解鎖。

2、中文手冊(cè)很多時(shí)候會(huì)存在錯(cuò)誤，只能作為快速瀏覽用，具體應(yīng)用還得參考官方英文手冊(cè)。