STM8L系列單片機(jī)是ST公司推出的低功耗單片機(jī),與STM8S系列相比功耗降低了很多，但內(nèi)部結(jié)構(gòu)也刪減了很多，使用時一定要仔細(xì)閱讀手冊。這是第一次使用STM8，實(shí)現(xiàn)功能不是很復(fù)雜就沒想研究庫函數(shù)，準(zhǔn)備直接控制寄存器操作，沒想到本人因?yàn)橹袛鄦栴}糾結(jié)了大半天。

在外部中斷中這一點(diǎn)很不同，STM8S自動清除外部中斷，而STM8L是需要軟件清除，清除標(biāo)志位的寄存器根據(jù)設(shè)置而不同，下面有說明。

下面以STM8L外部中斷PB1為例說明外部中斷寄存器操作

設(shè)置外部中斷有下面幾步：

第一步、設(shè)置IO口為中斷輸入通過設(shè)置（PB_DDR |= 0X00;PB_CR1 |= 0X02;PB_CR2 |= 0X02;）

第二步、設(shè)置中斷觸發(fā)方式（00: Falling edge and low level；01: Rising edge only；10: Falling edge only；11: Rising and falling edge）

第三步、更改中斷向量表（stm8_interrupt_vector.c文件中）

第四步、編寫中斷處理函數(shù)，記住在函數(shù)里面清除中斷

第一步、設(shè)置IO口為中斷輸入

PB_DDR |= 0X00; //輸入

　PB_CR1 |= 0X02; // 0000_0010

　PB_CR2 |= 0X02; // 0000_0010 CR1與CR2結(jié)合確定為上拉外部中斷輸入

第二步、設(shè)置中斷觸發(fā)方式STM8L中PB與PD端口比較特殊可以有兩種觸發(fā)模式

　EXTI_CONF= 0x00;

這兩種觸發(fā)模式通過寄存器EXTI_CONF進(jìn)行設(shè)置

第一種方式與A,C port一樣通過下面兩個寄存器設(shè)置觸發(fā)模式設(shè)置寄存器EXTI_CONF[0]為0，表示Port B[3:0]使用第一種方式（我在此命名為普通方式）

　　EXTI_CR1寄存器設(shè)置Port A, B, C and/or D external interrupts 的3、2、1、0引腳

　　EXTI_CR2寄存器設(shè)置Port A, B, C and/or D external interrupts 的7、6、5、4引腳

第二種方式通過EXTI_CR3寄存器設(shè)置觸發(fā)模式EXTI_CONF[0]為1，表示Port B[3:0]使用第二種方式（我在此命名為特殊方式）

　　EXTI_CR3寄存器的[3:2]位設(shè)置端口D的觸發(fā)模式

　　EXTI_CR3寄存器的[1:0]位設(shè)置端口B的觸發(fā)模式

第三步、更改中斷向量表

　　{0x82, KEY_Interrupt}, /* irq9 */

　　PB1普通模式中斷向量號為9，其中KEY_Interrupt可以根據(jù)實(shí)際命名，只要和后面寫的中斷函數(shù)名一致就可以。

　　為什么選擇為9看下面的圖片就知道了。

第四步、編寫中斷處理函數(shù)

　　@far @interrupt void KEY_Interrupt(void)
　　{
　　　　LED1 = !LED1;
　　　　//EXTI_SR2 = 0x01; //如果設(shè)置為特殊模式通過此寄存器清除中斷標(biāo)志位
　　　　EXTI_SR1 |=0x02; //如果設(shè)置為普通模式通過此寄存器清除中斷標(biāo)志位

　　}

在這一步驟中有兩點(diǎn)說明：

1、如果中斷執(zhí)行函數(shù)不想在stm8_interrupt_vector.c文件中編寫，需要在stm8_interrupt_vector.c 文件中添加這樣一個函數(shù)

　　@far @interrupt void KEY_Interrupt(void);

2、EXTI_SR2 = 0x01; //如果設(shè)置為特殊模式通過此寄存器清除中斷標(biāo)志位
　　EXTI_SR1 |=0x02; //如果設(shè)置為普通模式通過此寄存器清除中斷標(biāo)志位

中斷向量等級：

通過下面的第一個表格可以知道如果我們用普通中斷模式端口B1的中斷屬于EXTI1（如果是PB2屬于EXTI2），特殊模式端口B的中斷屬于EXTIB and EXTID,

知道這點(diǎn)后我們結(jié)合手冊中的中斷向量表就知道我們應(yīng)該在哪個位置寫中斷入口函數(shù)名了。