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[導(dǎo)讀]本文以STM32F103ZE為原型,來剖析其內(nèi)存結(jié)構(gòu),從而了解其內(nèi)存物理地址,分配結(jié)構(gòu)以擴(kuò)展應(yīng)用。STM32F103ZE這款芯片內(nèi)置了32KB的SRAM,512KB的Flash,其映射地址如下圖所示,該圖來源于其數(shù)據(jù)手冊。其中Flash的起始地址

 

本文以STM32F103ZE為原型,來剖析其內(nèi)存結(jié)構(gòu),從而了解其內(nèi)存物理地址,分配結(jié)構(gòu)以擴(kuò)展應(yīng)用。

STM32F103ZE這款芯片內(nèi)置了32KB的SRAM,512KB的Flash,其映射地址如下圖所示,該圖來源于其數(shù)據(jù)手冊

。其中Flash的起始地址為0x0800 0000,SRAM的起始地址為0x2000 0000,外設(shè)的起始地址為0x4000 0000,地址為0x4002 2000是控制Flash的寄存器地址。

 

參考鏈接:

【1】每個程序員都應(yīng)該了解的內(nèi)存知識

【2】STM32片上Flash內(nèi)存映射、頁面大小、突破口映射

 

 

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