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DS18b20.H

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DQ 接 p2.2
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#ifndef __DS18b20_H__
#define __DS18b20_H__

#include"msp430f2232.h"

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**引腳定義**
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#define DQ_1 P2OUT |= BIT2
#define DQ_0 P2OUT &= ~BIT2
#define DQ_inP2DIR &= ~BIT2
#define DQ_outP2DIR |= BIT2
#define DQ_val(P2IN & BIT2)

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****命令字符定義*****
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#define Read_ROM0x33//讀ROM
#define Match_ROM 0x55//匹配ROM
#define Skip_ROM 0xcc//跳過ROM
#define Search_ROM 0xf0//搜索ROM
#define Alarm_Search 0xec//告警搜索

#define Convert_Temperature 0x44 //溫度轉(zhuǎn)換
#define Read_Scratchpad 0xbe//讀暫存存儲(chǔ)器9字節(jié)內(nèi)容
#define Write_Scratchpad 0x4e //寫暫存存儲(chǔ)器，寫的是TH and TL ，接著發(fā)送兩位數(shù)據(jù)就可以

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**定義變量**
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//extern unsigned int Check_val;//初始化檢測(cè)變量
//extern unsigned int Temp;//存放溫度
//extern unsigned int Temp_l;//存放溫度低四位
//extern unsigned int Temp_h;//存放溫度高四位
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****函數(shù)定義****
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extern void DS18b20_Port_Init(void);
extern unsigned intDS18b20_Init(void);
extern void DS18b20_write_byte(unsigned int dat);
extern unsigned int DS18b20_read_byte(void);
extern unsigned int get_one_temperature(void);

# endif

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DS18B20.C

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****DQ 接 p2.4***
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#include"DS18b20.h"

void DS18b20_Port_Init(void)
{
P2DIR = BIT2;
}
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DS18b20 操作時(shí)序：
1.DS18b20 初始化
2.對(duì)64位ROM進(jìn)行操作
讀ROM
搜索ROM
跳過ROM
告警搜索
3.對(duì)寄存器進(jìn)行操作
包括讀取溫度……
4.精度默認(rèn)的為0.0625 ，無法重新設(shè)定，沒找到相應(yīng)的指令
相對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)換時(shí)間為750ms
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DS18b20 初始化方法：
1 主機(jī)發(fā)送 480 - 960 us 的低電平，釋放總線
2 等待 15 - 60 us
3 檢測(cè)DQ上是否有低電平出現(xiàn)
有：復(fù)位成功 ，通常時(shí)間為 60-240 us
無：復(fù)位失敗 ， 繼續(xù)等待
4 DQ上出現(xiàn)低電平后，低電平持續(xù)15us，然后DS18b20開始對(duì)單片機(jī)發(fā)送的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣
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unsigned intDS18b20_Init(void)
{
unsigned Check_val;
DQ_out;
DQ_0;
__delay_cycles(600);
DQ_1;
__delay_cycles(60);
DQ_in;
_NOP();

if(DQ_val==1)
{
Check_val = 0;//初始化失敗
}
if(DQ_val==0)
{
Check_val = 1;//初始化成功
}
__delay_cycles(10);
DQ_out;
DQ_1;
__delay_cycles(100);
return Check_val;
}

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DS18b20 寫數(shù)據(jù)方法：
1 DS18b20 是“一位一位”的寫‘0’和‘1’
2 每寫一次‘1’或‘0’為一個(gè)周期，每個(gè)周期約為 45 - 60 us
3 DQ拉低 1 us ，表示寫周期開始，釋放總線，讓DQ隨寫入的值變化
4 若寫1： DQ拉高至少60us，保證在采樣周期內(nèi)采到的值均為高
5 若寫0： DQ拉低至少60us，保證在采樣周期內(nèi)采到的值均為低
6 釋放總線
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* 單片機(jī)發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)，是從寫的數(shù)據(jù)的最高位開始發(fā)送*

void DS18b20_write_byte(unsigned int dat)
{
unsigned int i;
for(i = 0; i < 8;i++)
{
DQ_0;
__delay_cycles(2);
if(dat & 0X01)
DQ_1;
else
DQ_0;
__delay_cycles(60);
dat >>= 1;;
DQ_1;
__delay_cycles(10);
}
}

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DS18b20 讀數(shù)據(jù)方法：
1 DS18b20 是“一位一位”的讀‘0’和‘1’
2 每讀一次‘1’或‘0’為一個(gè)周期，每個(gè)周期約為 45 - 60 us
3 DQ拉低 1 us ，表示讀周期開始，釋放總線，讓DQ隨DS18b20傳送的值變化
4 若傳1：則檢測(cè)到高電平，持續(xù)時(shí)間為60us左右，所以檢測(cè)一次后要延時(shí)60us，再檢測(cè)下一位傳送的數(shù)據(jù)
5 若傳0：則檢測(cè)到低電平，持續(xù)時(shí)間為60us左右
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*DS18b20 傳送數(shù)據(jù)也是從最高位開始傳*
*所以單片機(jī)在接受數(shù)據(jù)時(shí)，存儲(chǔ)變量一共移動(dòng)8次，將所有數(shù)據(jù)都接收并回到最高位*

unsigned int DS18b20_read_byte(void)
{
unsigned i;
unsigned int byte = 0;
for(i = 0;i < 8;i++)
{
byte >>= 1;
DQ_0;
__delay_cycles(2);
DQ_1;
__delay_cycles(2);
DQ_in;
_NOP();
if(DQ_val)
byte |= 0x80;
__delay_cycles(60);
DQ_out;
DQ_1;
__delay_cycles(10);
}
returnbyte;
}

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當(dāng)用一個(gè)DS18b20進(jìn)行溫度測(cè)量時(shí)步驟
1.初始化
2.跳過ROM
3.控制寄存器：溫度轉(zhuǎn)換，讀取ROM，讀取溫度低8位，溫度高8位
注意的是，一定要初始化兩次
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unsigned int get_one_temperature(void)//只讀取了整數(shù)，沒讀取小數(shù)的部分
{
unsigned int Temp_l,Temp_h,Temp;
DS18b20_Init();
DS18b20_write_byte(Skip_ROM);
DS18b20_write_byte(Convert_Temperature);
__delay_cycles(500000);

DS18b20_Init();
DS18b20_write_byte(Skip_ROM);
DS18b20_write_byte(Read_Scratchpad);
Temp_l=DS18b20_read_byte();
Temp_h=DS18b20_read_byte();
Temp_l>>=4;
Temp_h<<=4;
Temp=Temp_h+Temp_l;
return Temp;
}