一般單片機、DSP、FPGA他們之間管教能否直接相連. 一般情況下，同電壓的是可以的，不過最好是要好好查查技術(shù)手冊上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能夠匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一個連接當(dāng)中的）。有些在一般應(yīng)用中沒有問題，但是參數(shù)上就是有點不夠匹配，在某些情況下可能就不夠穩(wěn)定，或者不同批次的器件就不能運行。

常用的邏輯電平有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。其中TTL和CMOS的邏輯電平按典型電壓可分為四類：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。
5V TTL和5V CMOS邏輯電平是通用的邏輯電平。
3.3V及以下的邏輯電平被稱為低電壓邏輯電平，常用的為LVTTL電平。

輸入高電平（Vih）：保證邏輯門的輸入為高電平時所允許的最小輸入高電平，當(dāng)輸入電平高于Vih時，則認(rèn)為輸入電平為高電平。
輸入低電平（Vil）：保證邏輯門的輸入為低電平時所允許的最大輸入低電平，當(dāng)輸入電平低于Vil時，則認(rèn)為輸入電平為低電平。
輸出高電平（Voh）：保證邏輯門的輸出為高電平時的輸出電平的最小值，邏輯門的輸出為高電平時的電平值都必須大于此Voh。
輸出低電平（Vol）：保證邏輯門的輸出為低電平時的輸出電平的最大值，邏輯門的輸出為低電平時的電平值都必須小于此Vol。
閥值電平(Vt)：數(shù)字電路芯片都存在一個閾值電平，就是電路剛剛勉強能翻轉(zhuǎn)動作時的電平。它是一個界于Vil、Vih之間的電壓值，對于CMOS電路的閾值電平，基本上是二分之一的電源電壓值，但要保證穩(wěn)定的輸出，則必須要求輸入高電平> Vih，輸入低電平

TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因為2.4V與5V之間還有很大空閑，對改善噪聲容限并沒什么好處，又會白白增大系統(tǒng)功耗，還會影響速度。
所以后來就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低電壓的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不講了。多用在處理器等高速芯片，使用時查看芯片手冊就OK了。
TTL使用注意：TTL電平一般過沖都會比較嚴(yán)重，可能在始端串22歐或33歐電阻； TTL電平輸入腳懸空時是
內(nèi)部認(rèn)為是高電平。要下拉的話應(yīng)用1k以下電阻下拉。TTL輸出不能驅(qū)動CMOS輸入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相對TTL有了更大的噪聲容限，輸入阻抗遠(yuǎn)大于TTL輸入阻抗。對應(yīng)3.3V LVTTL，出現(xiàn)了LVCMOS，可以與3.3V的LVTTL直接相互驅(qū)動。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS使用注意：CMOS結(jié)構(gòu)內(nèi)部寄生有可控硅結(jié)構(gòu)，當(dāng)輸入或輸入管腳高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)
時，電流足夠大的話，可能引起閂鎖效應(yīng)，導(dǎo)致芯片的燒毀。

TTL電平與CMOS電平的區(qū)別

(一)TTL高電平3.6~5V，低電平0V~2.4V
CMOS電平Vcc可達(dá)到12V
CMOS電路輸出高電平約為0.9Vcc，而輸出低電平約為0.1Vcc。
CMOS電路不使用的輸入端不能懸空，會造成邏輯混亂。
TTL電路不使用的輸入端懸空為高電平
另外，CMOS集成電路電源電壓可以在較大范圍內(nèi)變化，因而對電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴(yán)格。
用TTL電平他們就可以兼容
(二)TTL電平是5V，CMOS電平一般是12V。
因為TTL電路電源電壓是5V，CMOS電路電源電壓一般是12V。
5V的電平不能觸發(fā)CMOS電路，12V的電平會損壞TTL電路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL電平標(biāo)準(zhǔn)
輸出 L： <0.4V ； H：>2.4V。
輸入 L： <0.8V ； H：>2.0V
TTL器件輸出低電平要小于0.4V，高電平要大于2.4V。輸入，低于0.8V就認(rèn)為是0，高于2.0就認(rèn)為是1。

CMOS電平：
輸出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。
輸入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.

以下的內(nèi)容作為了解：

ECL：Emitter Coupled Logic 發(fā)射極耦合邏輯電路(差分結(jié)構(gòu))
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
速度快，驅(qū)動能力強，噪聲小，很容易達(dá)到幾百M的應(yīng)用。但是功耗大，需要負(fù)電源。為簡化電源，出現(xiàn)了
PECL(ECL結(jié)構(gòu)，改用正電壓供電)和LVPECL。
PECL：Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V
LVPELC：Low Voltage PECL
Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V
ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同電平不能直接驅(qū)動。中間可用交流耦合、電阻網(wǎng)絡(luò)或?qū)Ｓ眯酒M行轉(zhuǎn)換。
以上三種均為射隨輸出結(jié)構(gòu)，必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用于時鐘的LVPECL：直流匹配時用
130歐上拉，同時用82歐下拉；交流匹配時
用82歐上拉，同時用130歐下拉。但兩種方式工作后直流電平都在1.95V左右。)
前面的電平標(biāo)準(zhǔn)擺幅都比較大，為降低電磁輻射，同時提高開關(guān)速度又推出LVDS電平標(biāo)準(zhǔn)。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分對輸入輸出，內(nèi)部有一個恒流源3.5-4mA，在差分線上改變方向來表示0和1。通過外部的100歐匹配電
阻(并在差分線上靠近接收端)轉(zhuǎn)換為±350mV的差分電平。
LVDS使用注意：可以達(dá)到600M以上，PCB要求較高，差分線要求嚴(yán)格等長，差最好不超過10mil(0.25mm)。
100歐電阻離接收端距離不能超過500mil，最好控制在300mil以內(nèi)。下面的電平用的可能不是很多，篇幅關(guān)系，只簡單做一下介紹。如果感興趣的話可以聯(lián)系我。
CML：是內(nèi)部做好匹配的一種電路，不需再進行匹配。三極管結(jié)構(gòu)，也是差分線，速度能達(dá)到3G以上。只能
點對點傳輸。
GTL：類似CMOS的一種結(jié)構(gòu)，輸入為比較器結(jié)構(gòu)，比較器一端接參考電平，另一端接輸入信號。1.2V電源供
電。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存儲器的一種電平標(biāo)準(zhǔn)：一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO=1.5V。和上面的
GTL相似，輸入為輸入為比較器結(jié)構(gòu)，比較器一端接參考電平(VCCIO/2)，另一端接輸入信號。對參考電平
要求比較高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存儲器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V，輸入為輸入為比較器結(jié)構(gòu)，比較器一
端接參考電平1.25V，另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。