一、 首先先來(lái)看看核心板的原理圖

我們發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線才有8條，而并沒(méi)有地址信號(hào)，所以該8條線一定是可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址。而地址線肯定又不夠，那么，地址肯定又是多次發(fā)出的。從datasheet可以看到它要發(fā)出5個(gè)周期的地址。那怎樣分別是命令還是地址？

CLE——Command Locked Enable 當(dāng)該引腳輸入為高電平，則發(fā)出的是命令

ALE——Address Locked Enable 當(dāng)該引腳輸入為高電平，則發(fā)出的是地址

當(dāng)兩個(gè)引腳輸入為低電平時(shí)，8條總線上傳輸?shù)氖菙?shù)據(jù)。

CEn為片選信號(hào)，因?yàn)镹andFlash與DDR共用數(shù)據(jù)線，因此需要選中是用DDR還是NandFlash

WE和RE為是讀還是寫(xiě)。

RNB表示燒寫(xiě)狀態(tài)，當(dāng)該引腳輸出為高電平時(shí)，表示已經(jīng)燒寫(xiě)完成，進(jìn)入ready狀態(tài)；當(dāng)為低電平，表忙狀態(tài)。

如何訪問(wèn)NandFlash？

那就需要參照datasheet的參考時(shí)序：

因?yàn)?410內(nèi)部集成NandFlash控制器，因此控制NandFlash就很簡(jiǎn)單，只需控制Nandflash控制器即可。步驟為：

（1）初始化NandFlash控制器

a. 發(fā)出片選信號(hào)——nCE

（2）發(fā)出命令

對(duì)于6410，因?yàn)橛蠳andFlash控制器，只需把命令寫(xiě)到NFCMD寄存器，如果沒(méi)有NandFlash控制器，需要進(jìn)行以下步驟：

a.先把數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到data0~7數(shù)據(jù)線上

b. 使CLE輸出1

c.使WE從0變?yōu)?

（3）發(fā)出地址

對(duì)于6410，因?yàn)橛蠳andFlash控制器，只需把命令寫(xiě)到NFADDR寄存器，如果沒(méi)有NandFlash控制器，需要進(jìn)行以下步驟：

a.先把地址驅(qū)動(dòng)到data0~7數(shù)據(jù)線上

b. 使ALE輸出1

c.使WE從0變?yōu)?

（4）發(fā)數(shù)據(jù)

對(duì)于6410，因?yàn)橛蠳andFlash控制器，只需把命令寫(xiě)到NFDATA寄存器，如果沒(méi)有NandFlash控制器，需要進(jìn)行以下步驟：

a.先把數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到data0~7數(shù)據(jù)線上

b. 使CLE輸出0

c. 使ALE輸出0

d.使WE從0變?yōu)?

（5）讀數(shù)據(jù)

對(duì)于6410，因?yàn)橛蠳andFlash控制器，只需把命令寫(xiě)到NFDATA寄存器，如果沒(méi)有NandFlash控制器，需要進(jìn)行以下步驟：

a. 使RE輸出0

b. 等待tRAE

c. NandFlash數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到data0~7,6410便可以讀數(shù)據(jù)

下面看看NandFlash的訪問(wèn)周期：

其中，行地址表示訪問(wèn)哪一頁(yè)，列地址表示訪問(wèn)哪個(gè)地址，上圖中，3、4、5表示訪問(wèn)哪一頁(yè)，1、2表示訪問(wèn)這頁(yè)的哪個(gè)地址。

現(xiàn)在知道怎樣操作NandFlash了，從硬件上也知道它的結(jié)構(gòu)，后面我們來(lái)寫(xiě)NandFlash驅(qū)動(dòng)就更容易了！