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PIC16F877A的EEPROM使用

時間：2019-01-07 09:00:01

關(guān)鍵字： pic16f877a eeprom使用

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[導(dǎo)讀]unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);這兩個函數(shù)是PIC內(nèi)部函數(shù)，可以直接調(diào)用；-----------------------------以下內(nèi)容是baidu空間的一位博

unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);這兩個函數(shù)是PIC內(nèi)部函數(shù)，可以直接調(diào)用；

-----------------------------以下內(nèi)容是baidu空間的一位博主寫的-------http://hi.baidu.com/wxg923/item/17d65d23942ea9fd50fd8788---------

-上周在做一個項目時,需要對測試數(shù)據(jù)實時的保存,以被重新上電后讀取.采用了PIC的內(nèi)部EEPROM,正常讀取時沒有什么問題.反復(fù)上電掉電就出現(xiàn)了EEPROM被清0(改寫).

查閱相關(guān)資料:EEROM寫過程包括兩個階段:先擦除(電壓為20V) 再寫入(電壓18V);EEPROM在寫入過程中如果電壓不穩(wěn)定,很容易導(dǎo)致錯誤.先使用了軟件冗余法,同一個data寫在連續(xù)3個地址,使用時比較,只有2個相同時才使用.這樣做,反復(fù)上電掉電出錯幾率小了很多,但是還是會出錯.在反復(fù)上電100多次時還是出錯.另一個解決辦法就是使能BOD,寫EEPROM時,先檢測BOD.網(wǎng)上一位兄弟使用此方法反復(fù)上電2000多次才錯誤一次.

上述方法有兩個致命缺陷:1.EEPROM壽命短,EEPROM按最低10萬次算,我的項目每2s寫一次EEPROM,連續(xù)使用2周后EEPROM就可能壽命以盡.2還是有錯誤,沒有100%正確.

解決方案:使用掉電檢測,如果成本許可還可以使用法拉電容.

電源電壓掉電時,產(chǎn)生一個INT信號,PIC進(jìn)入外部中斷程序:首先將IO清零以降低電流損耗,此時利用電容C1的放電時間將要保存的數(shù)據(jù)寫入EEPROM.470uF D型鉭電容可供PIC工作20ms左右,足夠?qū)?bety EEPROM.

---------------------以下內(nèi)容是我實驗內(nèi)容--------摘自博客園的--“業(yè)精于勤，荒于嬉；行成于思，毀于隨---------

/******************************************
******PIC16F877A 內(nèi)部EEPROM讀寫實驗*******
Author:hnrain
Date:2010-12-25
Version:V0.1
Email:hnrain1004@gmail.com
Forum:http://bbs.cepark.com
_______________________________
實驗現(xiàn)象:先給內(nèi)部EEPROM的0~7字節(jié)寫數(shù)據(jù)1~8,再讀出第0字節(jié)的
內(nèi)容，并判斷讀出來的數(shù)據(jù)是不是1，如果是1則點亮RD0口的LED。

重點內(nèi)容：
內(nèi)部EEPROM的操作主要通過4個寄存器
EECON1,EECON2,EEDATA,EEADR

EEDATA寄存器存放8位讀寫數(shù)據(jù)
EEADR存放EEPROM被訪問過的地址

EECON1寄存器定義：
bit7:5 未用；讀為0
bit4 EEIF:EEPROM寫操作中斷標(biāo)志位
1 ＝寫操作完成（必須軟件清零）
0 ＝寫操作未完成或還未開始
bit3 WRERR：EEPROM錯誤標(biāo)志位
1 = 寫操作過早終止
0 = 寫操作已完成
bit2 WREN:EEPROM寫使能位
1 ＝允許寫入
0 ＝禁止寫入EEPROM
bit1 WR:寫操作控制位
1 ＝啟動寫周期，一旦寫入完成，該位將被硬件清零
寫操作控制位只能用軟件置"1"
0 = EEPROM的寫周期已完成
bit0 RD:讀控制位
1 ＝啟動EEPROM讀操作。讀需要一個周期，RD由硬件清零
RD只能用軟件置“1”
0 ＝未啟動EEPROM讀操作

寫入EEPROM有一個特定的過程：將55H寫入EECON2,將AAH寫入EECON2
然后將WR位置1
*******************************************/

#include #define uchar unsigned char#define uint unsigned int// CONFIG#pragma config FOSC = HS // 12MHZ 外部晶振#pragma config WDTE = OFF // Watchdog Timer Enable bit (WDT enabled)#pragma config PWRTE = OFF // Power-up Timer Enable bit (PWRT disabled)#pragma config BOREN = ON // Brown-out Reset Enable bit (BOR enabled)#pragma config LVP = OFF // Low-Voltage (Single-Supply) In-Circuit Serial Programming Enable bit (RB3/PGM pin has PGM function; low-voltage programming enabled)#pragma config CPD = OFF // Data EEPROM Memory Code Protection bit (Data EEPROM code protection off)#pragma config WRT = OFF // Flash Program Memory Write Enable bits (Write protection off; all program memory may be written to by EECON control)#pragma config CP = OFF // Flash Program Memory Code Protection bit (Code protection off)#define DELAY 200void WriteEE(uchar addr,uchar data);//EEPROM寫函數(shù)uchar ReadEE(uchar addr); //EEPROM讀函數(shù)uchar cydata; //定義全局變量void main(void) //主函數(shù){ uchar k; PORTA = 0x00; //PORTA賦00 TRISA = 0x00;//PORTA為輸出 for(k = 0;k < 7; k++) { WriteEE(k,k+1); //循環(huán)調(diào)用EEPROM寫函數(shù)，向地址為0~7的寫入1~8 }while(1){ cydata = ReadEE(0);//讀取EEPROM的地址0數(shù)據(jù) if(cydata == 1) { RA0 = 1; //判斷EEPROM地址0里的數(shù)據(jù)是不是為1，為1則點亮LED0 }}}//EEPROM寫數(shù)據(jù)函數(shù)void WriteEE(uchar addr,uchar data){ do{} while(WR == 1);//等待寫完成 EEADR = addr;//寫入地址信息 EEDATA = data;//寫入數(shù)據(jù)信息 EEPGD = 0;//操作EEPROM WREN = 1; //寫EEPROM允許// --- 此處要disable interrupt EECON2 = 0x55;//寫入特定時序 EECON2 = 0xaa; WR = 1; //執(zhí)行寫操作 do{} while(WR == 1);//等待寫完成// 可以enable interrupt 功能 WREN = 0;//禁止寫入EEPROM}//EEPROM讀數(shù)據(jù)函數(shù)uchar ReadEE(uchar addr){ uchar num; do{} while(RD == 1);//等待讀完成 EEADR = addr;//寫入要讀的址址 EEPGD = 0;//操作EEPROM RD = 1;//執(zhí)行讀操作 do{} while(RD == 1);//等待讀完成 num = EEDATA; return num;//返回讀取的數(shù)據(jù)}

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