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[導讀]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT的作用

IGBT是一種功率晶體管,運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能,使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優(yōu)點。

IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。

IGBT選型四個基本要求

1、安全工作區(qū)

在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時候的保護。這個是開通和關斷時候的波形,這個是相關的開通和關斷時候的定義。我們做設計時結溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結溫之內,做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關的應用參數(shù)提供出來。這樣結合這個參數(shù)以后,結合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計算產品的功耗和結溫,是否滿足安全結溫的需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功率,時間比較短,它可能不是一個長期的工作點,可能突然增加,這個時候就涉及到另外一個指標,動態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小,這個壽命才長。

3、封裝要求

封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面,在結構上面,其實也會和封裝相關,因為設計的時候會布局和結構的問題,不同的設計它的差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問題,剛才說到結溫波動,其中最擔心就是結溫波動以后,會影響到這個綁定線和硅片之間的焊接,時間久了,這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異,所以在結溫波動情況下,長時間下來,如果工藝不好的話,就會出現(xiàn)裂痕甚至斷裂,這樣就會影響保護壓降,進一步導致ICBT失效。第二個就是熱循環(huán),主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個材料之間,他們之間的差異性。如果失效了以后,就分層了,材料與材料之間特性不一樣,就變成這樣情況的東西,這個失效很明顯。

 

IGBT如何選型

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓經過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內,承受1.5倍的過流,擇最大負載電流約為119A ,建議選擇150A電流等級的IGBT。

3、IGBT開關參數(shù)的選擇

變頻器的開關頻率一般小于10kHZ,而在實際工作的過程中,IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT。

影響IGBT可靠性因素

1)柵電壓

IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數(shù),保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。

2)Miller效應

為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵驅動電路中采用改進措施:

(1)開通和關斷采用不同柵電阻Rg,ON和Rg,off,確保IGBT的有效開通和關斷;

(2)柵源間加電容c,對Miller效應產生的電壓進行能量泄放;

(3)關斷時加負柵壓。在實際設計中,采用三者合理組合,對改進Mille r效應的效果更佳。

IGBT使用注意事項

(1)操作過程中要佩戴防靜電手環(huán);

(2)盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;

(3)IGBT模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;

(4)在焊接作業(yè)時,設備容易引起靜電壓的產生,為了防止靜電的產生,請先將設備處于良好的接地狀態(tài)下。

IGBT如何保管

1、一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態(tài),不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機加濕。

2、盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3、在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。

4、IGBT模塊在未投入生產時不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。

從功能上來說,IGBT就是一個電路開關,優(yōu)點就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕,它是由計算機控制的。

所以有了IGBT這種開關,就可以設計出一類電路,通過計算機控制IGBT,把電源側的交流電變成給定電壓的直流電,或是把各種電變成所需頻率的交流電,給負載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進,此類產品在市場上將越來越多見;

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè),在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

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