基于5G1413S的小功率LED數(shù)碼管驅(qū)動電路
5G1413S小功率NPN達林頓晶體管陣列集成電路最高輸出電壓典型值為35V,最小值為25V,集電極最大輸出電流80MA,箝位二極管反向擊穿電壓典型值80V,最小值為25V,反向漏電流50UA,最大耗散功率50MW.
5G1413S小功率NPN達林頓晶體管陣列集成電路最高輸出電壓典型值為35V,最小值為25V,集電極最大輸出電流80MA,箝位二極管反向擊穿電壓典型值80V,最小值為25V,反向漏電流50UA,最大耗散功率50MW.
在電子電路領(lǐng)域,低邊驅(qū)動芯片被廣泛應(yīng)用于各種功率驅(qū)動電路中,它負(fù)責(zé)控制功率 MOS 管的導(dǎo)通與截止,實現(xiàn)對負(fù)載的有效驅(qū)動。而在低邊驅(qū)動芯片的設(shè)計中,鉗位保護通常都將電壓鉗位到 MOS 管的柵極,這一設(shè)計選擇并非偶然,而是...
關(guān)鍵字: 低邊驅(qū)動芯片 驅(qū)動電路 MOS 管