電子器件或材料按其等效電阻大小可劃分為：高阻器件、中阻器件、低阻器件。根據(jù)傳統(tǒng)噪聲測(cè)試原理，改進(jìn)已有噪聲測(cè)試技術(shù)和測(cè)試方法還可以繼續(xù)測(cè)量一些等效阻值在該范圍之外的器件的噪聲，這些器件被定義為低阻器件或高阻器件，其中等效阻值大致在1 -50歐之間的器件被定義為低阻器件，等效阻值大致在

歐之間的器件被定義為高阻器件。本文為大家介紹高阻器件低頻噪聲的測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用。

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--低頻噪聲測(cè)試技術(shù)理論(一)

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--低頻噪聲測(cè)試技術(shù)理論(二)

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--低頻噪聲測(cè)試技術(shù)理論(三)

本章主要闡述了低頻噪聲的物理基礎(chǔ)、測(cè)試技術(shù)的要求和實(shí)現(xiàn)方案。

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--高阻器件噪聲測(cè)試技術(shù)

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--高阻樣品噪聲測(cè)試解決方案

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--測(cè)試技術(shù)介紹

為解決國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)中存在的問題，本文設(shè)計(jì)了兩種噪聲測(cè)試技術(shù)作為解決方案，分別是一種電壓噪聲測(cè)試技術(shù)和一種電流噪聲測(cè)試技術(shù)。這兩種技術(shù)分別解決了前文中描述的電壓噪聲和電流噪聲測(cè)試技術(shù)的技術(shù)難題，并克服或緩解了已有高阻器件噪聲測(cè)試技術(shù)的缺陷。

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--高阻器件噪聲測(cè)試技術(shù)的驗(yàn)證和應(yīng)用

高阻器件低頻噪聲測(cè)試技術(shù)與應(yīng)用研究--用于聚合物鉭電容的漏電流噪聲研究

本章改進(jìn)并簡(jiǎn)化了已有絕緣介質(zhì)漏電流測(cè)試方法，并通過計(jì)算機(jī)平臺(tái)上的數(shù)據(jù)采集卡采集該放大后的信號(hào)，之后在Labview軟件平臺(tái)下通過快速傅里葉變換將時(shí)域上的信號(hào)轉(zhuǎn)換為頻域上的電流功率譜密度，通過改變偏置電壓V我們可以測(cè)得不同偏壓下的電容漏電流噪聲。