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當(dāng)前位置:首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 測(cè)試測(cè)量
[導(dǎo)讀] 微米級(jí)小芯片的檢測(cè)一直是研發(fā)領(lǐng)域檢測(cè)的難點(diǎn),常見(jiàn)的熱像儀可有效檢測(cè)的最小目標(biāo)通常為0.2mm以上,對(duì)于微米級(jí)別的芯片晶格和元器件來(lái)說(shuō),需要在像素和光學(xué)系統(tǒng)上均達(dá)到一定性能要求才可以準(zhǔn)確檢測(cè)。

 

微米級(jí)小芯片的檢測(cè)一直是研發(fā)領(lǐng)域檢測(cè)的難點(diǎn),常見(jiàn)的熱像儀可有效檢測(cè)的最小目標(biāo)通常為0.2mm以上,對(duì)于微米級(jí)別的芯片晶格和元器件來(lái)說(shuō),需要在像素和光學(xué)系統(tǒng)上均達(dá)到一定性能要求才可以準(zhǔn)確檢測(cè)。

福祿克高端紅外熱像儀配套專用的微距鏡頭,可對(duì)最小32微米的目標(biāo)進(jìn)行有效檢測(cè)。

芯片的晶格

TiX660加裝微距鏡頭3拍攝的芯片晶格

應(yīng)用案例:

某研究所需要檢測(cè)芯片晶格的溫度分布情況。從現(xiàn)場(chǎng)的檢測(cè)情況來(lái)看,兩排晶格器件,上排器件的溫度為34.1℃,而下排器件的溫度為34.2℃,說(shuō)明在散熱方面,各方位排列的器件的散熱情況是不相同的,研究人員可以據(jù)此測(cè)試不同的排列對(duì)器件的影響,并對(duì)某些問(wèn)題器件進(jìn)行單獨(dú)檢測(cè)。

檢測(cè)要求:

檢測(cè)的目標(biāo)小于0.2mm,現(xiàn)場(chǎng)有紅外窗口遮擋,故無(wú)法近距離檢測(cè),需要在10厘米處才可以安放熱像儀

解決方案:

大師系列熱像儀 + 微距鏡頭3 + 長(zhǎng)焦鏡頭 + 三腳架 + 二維可調(diào)精密位移云臺(tái)

微距鏡頭3+長(zhǎng)焦鏡頭的配置正好可以滿足檢測(cè)小目標(biāo)和較遠(yuǎn)的對(duì)焦距離的雙重需求,為使現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)對(duì)焦方便,使用三腳架+二維可調(diào)精密位移云臺(tái)


行業(yè)應(yīng)用:

需要檢測(cè)的目標(biāo)小于0.2mm的微電子或電子器件的研究部門,特別是在0.1mm以內(nèi)的微米級(jí)電子器件,如芯片、集成電路、電子元器件等。

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