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[導(dǎo)讀] 熱電壓或者EMF是低電壓測(cè)量[1]中最常見的誤差源。如圖5所示,當(dāng)電路的不同部分處于不同的溫度時(shí),以及由不同材料構(gòu)成的導(dǎo)體連接到一起時(shí),就會(huì)產(chǎn)生這些電壓。表中列出了各種材料相對(duì)于銅的See beck[2]系

熱電壓或者EMF是低電壓測(cè)量[1]中最常見的誤差源。如圖5所示,當(dāng)電路的不同部分處于不同的溫度時(shí),以及由不同材料構(gòu)成的導(dǎo)體連接到一起時(shí),就會(huì)產(chǎn)生這些電壓。表中列出了各種材料相對(duì)于銅的See beck[2]系數(shù)。



圖5:當(dāng)電路的不同部分處于不同溫度以及由不同的材料制成的導(dǎo)體連接到一起時(shí),就會(huì)產(chǎn)生熱電電壓。

電路中的所有導(dǎo)體都用同種金屬制作,就可以最大限度減少熱電EMF[3]的產(chǎn)生。例如,用卷邊銅套管或者接線片與銅線構(gòu)成的連接,形成了冷焊的銅-銅結(jié),其產(chǎn)生的熱電EMF極小。此外,連接點(diǎn)必須保持清潔而且避免氧化物的存在。例如,清潔的Cu-Cu連接的Seebeck系數(shù)為±0.2mV/°C,而Cu-CuO的連接的這一系數(shù)高達(dá)1mV/°C。


Paired Material Seebeck Coefficient, QAB, microvolts/°C Cu-Cu <0.2 Cu-Au 0.3 Cu-Pb/Sn 1–3 Cu-Si 400 Cu-CuO 1000

盡可能降低電路中的溫度梯度也可以減少熱電EMF。減少這一梯度的技術(shù)是將所有的連接點(diǎn)間的距離盡可能縮短,并實(shí)現(xiàn)與公共的、大尺寸的散熱器間良好的熱耦合[4]。必須使用較高電導(dǎo)率的電絕緣材料,但由于大多數(shù)電絕緣體的導(dǎo)熱性不好,故必須采用特制的絕緣體,如硬質(zhì)陽極化鋁、氧化鈹、特別填充的環(huán)氧樹脂、藍(lán)寶石或者金剛石,來實(shí)現(xiàn)各連接點(diǎn)到散熱器[5]的連接。另外,讓測(cè)試設(shè)備完成暖機(jī)過程,并在恒定的環(huán)境溫度下達(dá)到熱平衡,也可以最大限度減少熱電EMF效應(yīng)。有些儀器甚至提供了各種內(nèi)置的測(cè)量模式,這些模式可以改變測(cè)試信號(hào)的極性以抵消熱EMF。
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