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[導(dǎo)讀] 內(nèi)存廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備的單板。而隨著電子產(chǎn)品對數(shù)據(jù)吞吐量的不斷提高,內(nèi)存也在更新?lián)Q 代,進(jìn)一步提升了速率,如新一代內(nèi)存 DDR4,數(shù)據(jù)信號速率達(dá)到了 3.2Gbps。更高速率的內(nèi)存信號,不僅 JEDEC 規(guī)范

內(nèi)存廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備的單板。而隨著電子產(chǎn)品對數(shù)據(jù)吞吐量的不斷提高,內(nèi)存也在更新?lián)Q 代,進(jìn)一步提升了速率,如新一代內(nèi)存 DDR4,數(shù)據(jù)信號速率達(dá)到了 3.2Gbps。更高速率的內(nèi)存信號,不僅 JEDEC 規(guī)范規(guī)定了更嚴(yán)格的測試要求和更多的測試項(xiàng)目,如對于 DDR4 還要求測試固有抖動 Dj,以及信號 的眼圖模板測試等,而且對傳統(tǒng)的內(nèi)存測試軟件中所使用的 DDR 內(nèi)存信號讀寫分離方法,也構(gòu)成了新的挑 戰(zhàn)。本文將分析和介紹更高速率的 DDR 內(nèi)存信號測試所面臨的挑戰(zhàn)以及力科的應(yīng)對方案。
一、傳統(tǒng)分析軟件針對 DDR 信號的讀寫分離原理
常用的 DDR 內(nèi)存分析軟件一般是通過 DDR 內(nèi)存的 DQ 數(shù)據(jù)信號與 DQS 選通信號邊沿 之間的時(shí)序關(guān)系來判別讀與寫的,即讀突發(fā)時(shí) DQ 信號和 DQS 信號邊沿對齊,寫突發(fā)時(shí) DQ 信號和 DQS 信號中間對齊,如下圖 1 所示,只要 DQ 信號和 DQS 信號之間的時(shí)序在[-X1, X1]范圍內(nèi)即認(rèn)為是讀突發(fā),如果在[0.25*UI-X2,0.25*UI+X2]范圍內(nèi),即為寫突發(fā),示波 器軟件會進(jìn)行優(yōu)化設(shè)定 X1 和 X2 的值以盡可能準(zhǔn)確的分離出讀、寫信號,不同示波器廠家 的軟件也可能會有所區(qū)別。
圖 1 常用的 DDR 內(nèi)存分析軟件所使用的讀寫分離方法
該方法對于速率較低的 DDR 內(nèi)存信號來說會工作得很好,因?yàn)樾盘査俾实?,?shù)據(jù)位間 隔 UI 就會比較大,也即讀突發(fā)時(shí)的 DQ 和 DQS 的相對邊沿位置數(shù)值與寫突發(fā)時(shí) DQ 和 DQS 的相對邊沿位置數(shù)值相差比較大(相差 1/4 個(gè) DQS 選通信號周期)。而當(dāng) DDR 信號速率越 來越高后,UI 將越來越小,此時(shí)即使是讀突發(fā)周期,DQ 與 DQS 信號的邊沿產(chǎn)生的偏移也 極有可能會被誤識別為寫突發(fā),反之,寫突發(fā)一樣也可能會被錯(cuò)誤的判別為讀突發(fā)。
此外,由于電路板上的電子元器件的密集程度越來越高,而且內(nèi)存類的芯片又都是 BGA 封裝的,所以很多情況下難以在信號走線的最末端進(jìn)行測試,從而導(dǎo)致測量到的信號出現(xiàn)反 射的現(xiàn)象,如下圖 2 所示為一個(gè) DDR3 信號的測試圖示,左上和左下分別為寫突發(fā)的 DQ 信號和 DQS 信號的眼圖,右上和右下分別為讀突發(fā)的 DQ 信號和 DQS 信號的眼圖。從圖中 可看出,寫突發(fā)時(shí) DQ 和 DQS 信號的眼圖中也夾雜了讀突發(fā)時(shí) DQ 和 DQS 信號的眼圖,原因正是讀突發(fā)時(shí) DQ 和 DQS 信號在接近電平 50%的位置有明顯的臺階,此時(shí) DQ 和 DQS 之間的時(shí)延將難以被準(zhǔn)確測量和確定,也就是說使用傳統(tǒng)的通過“讀邊沿對齊和寫中間對齊” 的方法將難以精確的分離該情況時(shí)的 DQ 和 DQS 的讀寫信號。
圖 2 某 DDR3 信號的讀寫信號眼圖
二、基于高速數(shù)字分析儀及專用 DDR調(diào)試分析軟件的內(nèi)存測試方案
1、使用高速數(shù)字分析儀基于命令總線進(jìn)行讀寫分離
內(nèi)存 DDR 接口都擁有并行控制總線信號,這些控制總線信號可以清楚的指明 DQ 和 DQS 信號是處于讀突發(fā)狀態(tài)還是寫突發(fā)狀態(tài),以及這些信號來自于哪個(gè)芯片。所以可以通 過同時(shí)測試這些控制信號來對 DQ 和 DQS 信號進(jìn)行讀寫分離。但一個(gè)明顯的困難是,除了要測試 DQ 和 DQS 信號外,還需要額外再測試 4 個(gè)控制信號,若都使用模擬通道進(jìn)行測試,則示波器的通道將不夠用,而測試控制信號的目的是為了協(xié)助分離讀寫,所以完全可以使用數(shù)字探頭來測試這些控制信號,然而新一代更高速率的 DDR,如 DDR4,速率比較高,達(dá)到了 3.2Gbps,傳統(tǒng)的低速 MSO 將難以滿足要求。為了應(yīng)對這樣的需求和挑戰(zhàn),力科推出了采樣率高達(dá) 12.5GS/s 的高速數(shù)字分析儀及高帶寬易于連接的數(shù)字探頭。下圖 3 所示為力科的高速數(shù)字分析儀 HDA125 與力科的 SDA820Zi-B 串行數(shù)據(jù)分析儀進(jìn)行 DDR 信號測試驗(yàn)證的連接示意圖。
圖 3 力科的高速數(shù)字分析儀 HDA125
HDA125 具有 12.5GS/s 的采樣率,存儲深度大小取決于所連接的示波器,最多可配置16 條數(shù)字鏈路,探頭的數(shù)字引線具有 3GHz 帶寬,可采集 6Gbps 的信號,集成 9 英寸柔性“飛線”來連接難以抵達(dá)的連接點(diǎn),且具有非常優(yōu)異的負(fù)載特性(110k 輸入阻抗和 0.12pF 的輸入電容)非常適合于測試高速 DDR 內(nèi)存信號。
2、DDR 內(nèi)存專用調(diào)試工具包DDR
內(nèi)存專用調(diào)試工具包是除了一致性測試工具包之外力科開發(fā)的另外一款專用于DDR 內(nèi)存調(diào)試的工具,該工具更加注重于調(diào)試和分析,不是完全包括 JEDEC 規(guī)范要求的所有測試項(xiàng)目或者說只是 JEDEC 測試規(guī)范要求測試項(xiàng)目的一個(gè)子集。DDR 內(nèi)存專用調(diào)試工具包具有如下功能和特點(diǎn):只需按一個(gè)按鈕即可實(shí)現(xiàn) DQ 和 DQS 信號的讀寫分離(基于力科的 Qualify 一致性軟件的讀寫分離原理);對 DQ 和 DQS 信號進(jìn)行眼圖和模板測量;對 DQ和 DQS 信號進(jìn)行抖動測量和分解;包含一系列針對 DDR 信號的特定測量參數(shù)。下圖 4 至圖 7 所示為力科 DDR 內(nèi)存專用調(diào)試工具包的界面:

三、使用高速數(shù)字分析儀與 DDR 專用調(diào)試工具包對 DDR 內(nèi)存信號進(jìn)行調(diào)試
下圖 8 所示為一個(gè) DDR3-800 的單板,讀突發(fā)的 DQ 和 DQS 信號有一些反射問題,信號形狀見上面圖 2 所示。該單板上連接有 2 個(gè)模擬差分探頭和 5 條數(shù)字通道,模擬探頭采集了 DQ,DQS 信號連接到力科示波器 SDA 820Zi-B 的 C1 和 C2 上,數(shù)字探頭采集了 CS,WE,RAS,CAS,CLK 信號通過力科的高速數(shù)字分析儀 HDA125 也連接到力科示波器 SDA820Zi-B 上。模擬探頭和數(shù)字探頭在測試之前做了時(shí)序上的校準(zhǔn)。
圖 8 某 DDR3-800 的 DDR 內(nèi)存信號測試連接圖
采集到的信號在示波器屏幕上的顯示如下圖 9 所示。同時(shí)在 DDR 調(diào)試工具包中輸入對 應(yīng)的命令總線,如下圖 9 下方所示,此時(shí)讀、寫突發(fā)被分離出來并清晰的標(biāo)注在波形上,類 似于力科的解碼軟件,DDR 的讀寫解碼信息也以類似于表格的形式顯示于波形窗口的下方, 每條解碼信息與當(dāng)前所顯示的波形相對應(yīng),時(shí)間上同步,故也非常適合于查找和定位特定時(shí) 刻或位置的讀寫突發(fā)波形信息。
圖 9 基于 HDA125 和 DDR 專用內(nèi)存調(diào)試分析軟件實(shí)現(xiàn)內(nèi)存信號的讀寫分離
此時(shí),讀突發(fā)和寫突發(fā)的眼圖被準(zhǔn)確的分離,如下圖 10 所示:
圖 10 DDR3 內(nèi)存的 DQ 和 DQS 的讀突發(fā)和寫突發(fā)的眼圖
四、利用虛擬探測工具應(yīng)對 DDR 內(nèi)存信號中的反射問題
在上面的 DDR 調(diào)試示例中,讀突發(fā)因反射問題導(dǎo)致信號出現(xiàn)明顯的臺階,這將給讀突 發(fā)時(shí)的時(shí)序測試帶來錯(cuò)誤的結(jié)果。而反射問題通常是因?yàn)闇y試點(diǎn)沒有位于信號鏈路的最末端 所導(dǎo)致的。力科公司的虛擬探測軟件 VisualProbe 能夠用于解決此類問題。 VisualProbe 虛擬探測軟件需要幾個(gè)參數(shù):測試點(diǎn)到末端(反射點(diǎn))的傳輸延時(shí)、末端 的 RLC 參數(shù)以及特征阻抗。傳輸延時(shí)可以根據(jù)信號的反射位置測量得到,如下圖 11 所示, 反射信號的往返時(shí)間約為 680ps,所以傳輸延時(shí)約為 340ps。RLC 參數(shù)可以從芯片手冊中的 管腳參數(shù)得到,特征阻抗為 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)所設(shè)定,通常為 50 歐姆。
圖 11 DDR3 內(nèi)存讀突發(fā)時(shí) DQ 和 DQS 信號上的反射信號傳輸延時(shí)測量
將相關(guān)參數(shù)輸入到虛擬探測軟件中:
圖 12 虛擬探測軟件 VisualProbe 參數(shù)設(shè)置界面
虛擬探測前、后的讀突發(fā) DQ 和 DQS 信號波形眼圖如下圖 13 所示,左邊為原來的波形,右 邊為虛擬探測后的波形。基于虛擬探測后的 DQ 和 DQS 波形可以順利完成時(shí)序的測量。
圖 13 讀突發(fā)時(shí)虛擬探測前、后的 DQ 和 DQS 眼圖比較

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