[導(dǎo)讀]
漏極電壓Vd,從0至4V進行掃描,在每個Vd掃描之后,門極電壓Vg步進到下一個數(shù)值。傳統(tǒng)的只有直流的Vds-id和通過4200-RBT,偏置T型接頭的直流IV測試之間的主要區(qū)別是SMU的數(shù)量。通過偏置T型接頭進行的直流
漏極電壓Vd,從0至4V進行掃描,在每個Vd掃描之后,門極電壓Vg步進到下一個數(shù)值。傳統(tǒng)的只有直流的Vds-id和通過4200-RBT,偏置T型接頭的直流IV測試之間的主要區(qū)別是SMU的數(shù)量。通過偏置T型接頭進行的直流IV測試,使用2個SMU[2],其源和本體連接到地(SMA的同軸電纜屏蔽層)。
請注意,直流和脈沖測試的參數(shù)都可以很容易的進行修改,允許對晶體管行為特性進行交互式觀察。下面章節(jié)運行Pulse IV測試部分會涵蓋運行Vds-id測試的程序。
Vds–id-pulse測試如圖7所示。由于脈沖測試是UTMS(用戶測試模塊),所以參數(shù)是通過圖7所示的表格界面來改變的。對于脈沖Vds-id[3],門極電壓不是階梯的,所以將下一個Vds-id曲線附加到圖上之前,必須輸入每一個門極電壓。
圖7.脈沖Vds-id UTM definition選項頁
請注意,直流和脈沖測試的參數(shù)都可以很容易的進行修改,允許對晶體管行為特性進行交互式觀察。下面章節(jié)運行Pulse IV測試部分會涵蓋運行Vds-id測試的程序。
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