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[導(dǎo)讀] 在這篇博文中,我們將介紹在無(wú)負(fù)載、標(biāo)稱負(fù)載和全負(fù)載條件下測(cè)試開(kāi)關(guān)特點(diǎn)的各個(gè)步驟。 在開(kāi)始前,應(yīng)確保所有開(kāi)關(guān)的啟動(dòng)、關(guān)閉、占空比和死區(qū)時(shí)間都符合預(yù)期,如MOSFETs和IGBTs。泰克示波器包括一種

在這篇博文中,我們將介紹在無(wú)負(fù)載、標(biāo)稱負(fù)載和全負(fù)載條件下測(cè)試開(kāi)關(guān)特點(diǎn)的各個(gè)步驟。
在開(kāi)始前,應(yīng)確保所有開(kāi)關(guān)的啟動(dòng)、關(guān)閉、占空比和死區(qū)時(shí)間都符合預(yù)期,如MOSFETs和IGBTs。泰克示波器包括一種高分辨率模式,從根本上提高了垂直分辨率,因此可以使用最高精度計(jì)算啟動(dòng)和關(guān)閉時(shí)間。
盡管電源的幾乎所有組件都會(huì)發(fā)生能量損耗,但絕大部分損耗發(fā)生在開(kāi)關(guān)晶體管從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換到打開(kāi)狀態(tài)(或反之)的時(shí)候。使用所有開(kāi)關(guān)周期的啟動(dòng)損耗和關(guān)閉損耗的軌道圖(在DPOPWR軟件中提供),可以更加全面地了解開(kāi)關(guān)損耗,如下圖所示
開(kāi)關(guān)/關(guān)閉軌道圖。
這時(shí),要檢查所有VGS信號(hào)的噪聲和碰撞。這是一個(gè)重要步驟,因?yàn)檫@個(gè)端子上任何非預(yù)計(jì)的毛刺都可能會(huì)導(dǎo)致不想要的啟動(dòng)和擊穿。為保證不可能出現(xiàn)擊穿,應(yīng)檢查同步整流器或H橋接器的死區(qū)時(shí)間。
然后,檢驗(yàn)門驅(qū)動(dòng)器和相關(guān)儀器之間的定時(shí)關(guān)系,確保其與設(shè)計(jì)的計(jì)算結(jié)果相符。
為安全地測(cè)量非參考地電平的信號(hào),我們建議使用相應(yīng)額定電壓的差分探頭。一定不要浮動(dòng)示波器,因?yàn)槠鋾?huì)導(dǎo)致不好的結(jié)果。您可以考慮TDP1000、TDP0500或P6251高壓差分探頭,具體視應(yīng)用而定。每種探頭都實(shí)現(xiàn)了高速寬帶采集和測(cè)量功能,提供了杰出的電氣性能、通用被測(cè)器件連接,而且都使用方便。
毫無(wú)疑問(wèn),很難測(cè)量浮動(dòng)門信號(hào)。我們建議在門驅(qū)動(dòng)器輸入上探測(cè)信號(hào),這樣您可以檢驗(yàn)頂部FET與底部FET之間的死區(qū)時(shí)間。
在最低電壓轉(zhuǎn)換速率上測(cè)量電流也可以幫助您最大限度地減少串?dāng)_,改善精度。

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