集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新報告指出，2020年第一季度，DRAM價格小幅抬升，預(yù)計第二季度會取得最高10%的增長(3月初預(yù)期將取得10%以上增長，3月12日之后下修預(yù)期)。但是，受新冠肺炎疫情在全球蔓延的影響，預(yù)計第三季度漲幅在5%以內(nèi)，2020年全年價格漲幅在20%以內(nèi)。CINNO Research最新發(fā)布的內(nèi)存價格報告指出，2月份DRAM與NAND Flash價格持續(xù)上漲，預(yù)計3月份繼續(xù)上漲。

DRAM漲價也提升了市場及從業(yè)者的信心。新韓投資分析師Choi Doyeon及Na Sung-jun在最新報告中，對SK海力士股票給予“買入”評級，首要理由是DRAM和NAND處于短缺狀態(tài)。南亞科技2020年1月營收月增3.92%，較去年同期增加5.68%，南亞科技預(yù)期2020年第一季度DRAM價格有望止跌回穩(wěn)。內(nèi)存模組供應(yīng)商宇瞻科技總經(jīng)理張家騉在3月4日的法人說明會表示，新冠肺炎疫情對于內(nèi)存市場的需求會有影響，但DRAM及NAND Flash的供給吃緊，因此預(yù)估第二季內(nèi)存價格看漲，下半年或?qū)⒐┎粦?yīng)求。

5G及服務(wù)器成增長動力

CINNO Research在最新報告指出，DRAM上漲最主要的動力來自于數(shù)據(jù)中心正在快速布局建設(shè)以及5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強勁。

5G通信建設(shè)和5G手機換機潮，將拉動DRAM需求并推動DRAM產(chǎn)品迭代。小米創(chuàng)始人雷軍表示，LPDDR5是5G時代三大技術(shù)跨越性升級之一(其余兩個為UFS3.0及WiFi6)，將成為5G時代旗艦級標(biāo)配。小米10、realme 真我X50 Pro 5G等本季度推出的5G新機已經(jīng)搭載LPDDR5 DRAM。芯謀研究總監(jiān)王笑龍向記者表示，5G傳輸速率更快，需要更大容量和帶寬的DRAM，LPDDR5需求將快速抬頭。

云計算、大數(shù)據(jù)、自動駕駛等前沿科技的計算密集型應(yīng)用環(huán)境，將持續(xù)提升數(shù)據(jù)中心的工作負(fù)載，為服務(wù)器DRAM帶來增長動能。今年1月，美光宣布采用1z納米制程的 DDR5 寄存型 DIMM開始出樣，以應(yīng)對下一代服務(wù)器負(fù)載。賽迪顧問分析師楊俊剛向記者表示，雖然北美數(shù)據(jù)中心的建設(shè)有些放緩，但數(shù)據(jù)中心是國內(nèi)新基建的重點關(guān)注方向，加大數(shù)據(jù)中心的建設(shè)力度勢必提升對服務(wù)器型DRAM的需求。

疫情帶來的危與機

新冠肺炎疫情對DRAM市場的影響可謂“危險與機遇并存”。一方面，疫情為手機等終端消費需求帶來不確定性，多個研究機構(gòu)下修了移動終端型DRAM需求預(yù)期;另一方面，疫情導(dǎo)致全球遠(yuǎn)程辦公需求及“宅經(jīng)濟”需求激增，服務(wù)器用DRAM漲勢良好。

由于疫情防控必須減少人員聚集，企業(yè)員工遠(yuǎn)程工作增加、人群戶外活動減少，導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心流量提升，對服務(wù)器及服務(wù)器型DRAM需求增加。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心預(yù)測，服務(wù)器DRAM在今年第二季度的價格漲幅從原先預(yù)測的季增15%擴大至20%。集邦咨詢指出，新冠肺炎疫情使全球遠(yuǎn)程辦公需求大增，阿里巴巴、騰訊等中國云服務(wù)企業(yè)備貨需求在2月份顯著增長。同時，字節(jié)跳動因北美業(yè)務(wù)擴張至電子商務(wù)、游戲與金融應(yīng)用等，進而帶動北美自建數(shù)據(jù)中心的需求成長。

原本被視為DRAM重要增長力的終端型DRAM，則面臨不確定性。CINNO Rearch指出，受到疫情影響，智能手機、PC的后續(xù)銷售與出貨較原先預(yù)期下修，第二季度或是下半年的存儲器供應(yīng)鏈可能出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性的改變。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心也表示，疫情在全球的蔓延將影響消費者信心，終端產(chǎn)品需求恐持續(xù)下修。

考驗廠商盈利能力

工藝迭代、產(chǎn)品迭代及產(chǎn)能控制，是DRAM廠商提升盈利能力的重點。

2019年第四季度，三星成為唯一在DRAM業(yè)務(wù)扭虧為盈的主力廠商，原因就是通過向1y工藝過度，降低了生產(chǎn)成本。2020年，DRAM主力廠商將逐漸從1y向1z過渡階段。根據(jù)三星測算，1z納米DRAM在不使用EUV設(shè)備的情況下，也比目前1y DRAM的產(chǎn)能提高20%。