Musca-S1測試芯片基于三星Foundry28納米FD-SOI工藝技術，為物聯(lián)網(wǎng)解決方案的片上系統(tǒng)設計提供了全新選擇。

新聞摘要：

Arm采用三星Foundry工藝技術，推出首款支持嵌入式隨機存取存儲器（eMRAM）的測試芯片，能夠運行于Mbed OS和Arm Pelion物聯(lián)網(wǎng)平臺 Musca-S1測試芯片集成的FD-SOI基底偏壓和eMRAM技術，可運用于高能效物聯(lián)網(wǎng)設備上的SoC設計 測試芯片和開發(fā)板預計將于2019年第四季度提供給物聯(lián)網(wǎng)設備設計師進行評估

北京 – 2019年6月5日—在美國的三星代工論壇上，Arm與三星Foundry、Cadence和Sondrel合作，展示了首款28納米FD-SOI eMRAM的物聯(lián)網(wǎng)測試芯片和開發(fā)板。Musca-S1旨在為物聯(lián)網(wǎng)設計人員在片上系統(tǒng)開發(fā)過程中提供更多選擇。設計人員現(xiàn)在可以輕松實施更安全、更全面的物聯(lián)網(wǎng)解決方案，使他們能夠更加專注于核心產品的差異化，并加快上市時間。

Arm公司物理設計部門副總裁、總經理及Arm院士Gus Yeung表示：“一個由萬億互聯(lián)設備構造世界的承諾并不遙遠，但要想讓物聯(lián)網(wǎng)設備規(guī)?；覀儽仨毨^續(xù)將一系列技術選項提供給設計人員進行測試和評估。這種合作產生了一個真正的端到端解決方案，確保物聯(lián)網(wǎng)設計人員能夠從設備到數(shù)據(jù)的安全性對其產品設計進行原型設計?！?/p>

相對于之前Arm的Musca解決方案，Musca-S1測試芯片板現(xiàn)在支持測試和評估新的eMRAM技術，通過安全內存來實現(xiàn)可靠、低功耗和安全的設備開發(fā)。eMRAM技術優(yōu)于傳統(tǒng)嵌入式閃存（eFlash）存儲技術，因為它可以輕松擴展到40納米以下的工藝技術，使片上系統(tǒng)（SoC）設計人員能夠根據(jù)各種用例對內存和功耗的要求，更加靈活地擴展其內存需求。

Musca-S1測試芯片整合了片上電源控制、三星Foundry的反向體偏置（Reverse Body Biasing）和eMRAM斷電非易失性存儲器，支持對新型高能效受控物聯(lián)網(wǎng)設備的測試和評估。在三星Foundry硅片上，設計人員將首次有機會運行Arm? Mbed? OS，并且使用Arm Pelion?物聯(lián)網(wǎng)平臺來測試設備和數(shù)據(jù)管理功能。

通過將Arm IP和軟件解決方案集成在一塊開發(fā)板上，物聯(lián)網(wǎng)設計人員可以測試和評估Arm的端到端安全物聯(lián)網(wǎng)解決方案，大規(guī)模展示高能效和安全的物聯(lián)網(wǎng)。此外，Musca-S1測試芯片板可以讓設計人員靈活地為未來產品重新調整參考設計，從而進一步降低成本和上市時間。

Musca-S1測試芯片和開發(fā)板

已獲得PSA Certified 1級認證，匯集了Arm物聯(lián)網(wǎng)安全產品組合的關鍵組件，包括Arm CryptoCell-300系列、Arm Coresight?、Arm TrustZone?和Trusted Firmware-M （TF-M）。 基于Arm Cortex?-M33內核，采用Arm Corstone?-200安全基礎IP以及通過Arm Keil? MDK和ULINK-Plus? probe驗證的硬件構建。 利用Sondrel公司的設計服務來加快設計人員的開發(fā)進度。 使用Cadence的數(shù)字實現(xiàn)、簽核（signoff）、驗證流程以及標準IP，降低設計風險。

供應時間和更多信息

Musca-S1測試芯片和開發(fā)板會在中國舉辦的三星代工論壇展出。Musca-S1將于2019年第三季度限量供應，并計劃于2019年第四季度向客戶開放租借。欲了解更多有關Musca-S1測試芯片和開發(fā)板的信息，請聯(lián)系Arm。

合作伙伴引述

三星電子設計平臺開發(fā)執(zhí)行副總裁Jaehong Park

“此次與我們的SAFE方案的合作伙伴Arm、Cadence和Sondrel的合作首次將Arm Musca測試芯片和開發(fā)板實現(xiàn)在三星Foundry硅片。Musca-S1和實際運作中的28FD-SOI硅片的結合，保證了物聯(lián)網(wǎng)設計人員可以實現(xiàn)更快的開發(fā)，在下一代物聯(lián)網(wǎng)設備中部署基底偏壓并集成eMRAM技術，以提高能效和物聯(lián)網(wǎng)安全性?！?/p>

Cadence數(shù)字與簽核事業(yè)部產品管理副總裁KT Moore

“Musca-S1是業(yè)界首款得到硅驗證的基于28納米FD-SOI eMRAM和Cacence? IP的物聯(lián)網(wǎng)片上設計，采用Cadence數(shù)字和簽核全流程解決方案實施，支持從合成到簽核的反向偏置，包括物理驗證和DFM簽核。此外，Musca-S1使用了Cadence驗證套件進行驗證，協(xié)議合規(guī)性則使用了Cadence VIP和內存模型進行驗證。通過與Arm、三星和Sondrel的合作，我們使共同客戶能夠滿懷信心地創(chuàng)建具有內置安全性和連接能力的高能效MRAM物聯(lián)網(wǎng)邊緣設備，并進一步加快新興應用領域的創(chuàng)新?！?/p>

　　Sondrel首席執(zhí)行官Graham Curren

　　“Musca-S1不僅僅是一個保障聯(lián)網(wǎng)設備的安全并對其進行大規(guī)模管理的設計解決方案，也是一條基于半導體行業(yè)領導者之間合作的簡單而安全的市場之路。它面向從最簡單到最智能的邊緣節(jié)點設備，匯集了工具、技術、流程和人員的最佳組合，為強大的物聯(lián)網(wǎng)設備設計定義了新標準?！?/p>