產(chǎn)品方面，安森美半導(dǎo)體提供大范圍的SiC MOSFET和SiC二極管，并推出多代產(chǎn)品。SiC二極管方面，包括650/1200V/1700V二極管產(chǎn)品組合；SiC MOSFET則擁有650/750/900/1200/1700V產(chǎn)品。

那么，這些產(chǎn)品擁有哪些特性？王利民為記者介紹表示，安森美半導(dǎo)體的SiC產(chǎn)品方案具備領(lǐng)先的可靠性、高性價(jià)比、滿足汽車規(guī)范這三個(gè)重要特性：

1、領(lǐng)先的可靠性：在H3TRB測(cè)試（高溫度/濕度/高偏置電壓）里，安森美半導(dǎo)體的SiC二極管可以通過1000小時(shí)的可靠性測(cè)試。實(shí)際測(cè)試中，還會(huì)延長(zhǎng)到2000小時(shí)，大幅領(lǐng)先于市場(chǎng)的可靠性水平，對(duì)比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有著明顯的優(yōu)勢(shì)。

王利民強(qiáng)調(diào)，事實(shí)上，安森美半導(dǎo)體曾經(jīng)是JEDEC可靠性委員會(huì)的成員，寬禁帶可靠性標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)現(xiàn)已并入JEDEC標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)，安森美半導(dǎo)體正是可靠性標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的專家之一。

2、高性價(jià)比：通過對(duì)比SiC MOSFET、Si MOSFET、Si IGBT，不難發(fā)現(xiàn)在同樣達(dá)到1200V擊穿電壓情況下，硅器件的面積甚至相差100倍，硅基IGBT開關(guān)損耗相差10倍。實(shí)際上，在替換過程中，硅器件性能還要差很多。

對(duì)于SiC，業(yè)界很多人都對(duì)會(huì)被其高昂的單器件價(jià)格“勸退”。然而事實(shí)上，業(yè)界越來越講求整體方案性能，通過計(jì)算不難發(fā)現(xiàn)，同樣的電源如果替換成SiC方案，其體積、功率密度和整體的BOM都會(huì)得到優(yōu)化。

許多系統(tǒng)工程師也逐漸認(rèn)識(shí)到減少尺寸和冷卻要求的重要性，在同樣的能源和硬件成本下，他們希望擁有更多的器件以及更廣泛的應(yīng)用設(shè)備，例如更高的電壓和電流額定值以及更多的封裝選項(xiàng)。

之前，21ic家也多次強(qiáng)調(diào)，“系統(tǒng)級(jí)”成本效益這一概念，且不說在整體上的成本優(yōu)化， SiC的低發(fā)熱的壽命延長(zhǎng)事實(shí)上也是降低成本的一環(huán)。

3、車規(guī)級(jí)：眾所周知，汽車對(duì)于電源是一大考驗(yàn)，不僅要求非常高的穩(wěn)定性，對(duì)溫度和參數(shù)上也要求嚴(yán)格。安森美半導(dǎo)體的MOSFET涵蓋了市面上所有主流的SiC MOSFET，包括20mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ，TO247封裝，TO247的4條腿以及D2PARK的7條腿封裝，并且所有的產(chǎn)品都提供工業(yè)規(guī)范和汽車規(guī)范。值得一提的是，900V的SiC MOSFET擁有20mΩ、60mΩ這種市面的主流規(guī)格。

事實(shí)上，需要沖擊電流也是SiC二極管的一個(gè)痛點(diǎn)，這是因?yàn)?，?yīng)用中無論是Boost還是PFC都需要扛住浪涌電流。針對(duì)這一點(diǎn)，安森美的SiC則擁有一處貼心的設(shè)計(jì)，以1200V 15A的碳化硅二極管為例，在毫秒級(jí)安森美半導(dǎo)體的的碳化硅二極管有10倍的過濾，在微秒級(jí)有50倍的過濾。

另外，行業(yè)內(nèi)很多SiC二極管并不提供雪崩的量，以安森美的1200V 15A SiC二極管為例，雪崩電流接近200A（3500A/c㎡）。

遠(yuǎn)觀功率半導(dǎo)體的發(fā)展歷史，從第一階段的整流管、晶閘管，第二階段的GTO和BJT，第三階段的IGBT，第四階段的功率集成電路PIC和智能功率集成電路SPIC。分立器件逐漸從單一器件轉(zhuǎn)向集成化。但在不斷迭代過程中，市場(chǎng)并沒有吞并單一器件的市場(chǎng)，而是兩者并存。