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[導讀]NVMe NVM Express?(NVMe)SSD在企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應用中的部署大量涌現(xiàn),但同時出現(xiàn)的一些復雜狀況讓這些部署無法發(fā)揮出全部優(yōu)勢。今天的文章,我們就來說說NVMe SSD及Microchip的相關產(chǎn)品。

世說芯品:未來NVMe? SSD的外形尺寸

NVMe NVM Express?(NVMe)SSD在企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應用中的部署大量涌現(xiàn),但同時出現(xiàn)的一些復雜狀況讓這些部署無法發(fā)揮出全部優(yōu)勢。今天的文章我們就來說說NVMe SSD及Microchip的相關產(chǎn)品。
世說芯品:未來NVMe? SSD的外形尺寸

Microchip Technology Inc.

William Cheng


NVMe NVM Express?(NVMe)SSD在企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應用中的部署大量涌現(xiàn),但同時出現(xiàn)的一些復雜狀況讓這些部署無法發(fā)揮出全部優(yōu)勢。這些市場中的應用對SSD容量、性能、功率、連接性、外形、熱冷卻、效率和總擁有成本有著各不相同的需求。設計滿足這些需求的SSD將是一項極具挑戰(zhàn)性的任務,同時在SSD控制器的選擇上也需要十分謹慎,這樣才能實現(xiàn)效益最大化。我們先關注SSD外形以及在設計時需要考慮的因素。

早期NVMe SSD外形
2.5英寸U.2設計是最常用的外形之一,如今用于全新的企業(yè)SSD,因為它利用了圍繞硬盤驅(qū)動器(HDD)打造的服務器和存儲系統(tǒng)。U.2 SSD采用外形小巧的(SFF-8639)連接器(也兼容標準SAS和SATA型旋轉(zhuǎn)型磁盤和SSD),支持單端口或雙端口PCIe接口。不過,最初針對HDD打造的2.5英寸外形在SSD熱性能或目標容量方面并不總是最佳選擇。

另一個極為常見的SSD尺寸是M.2。M.2 SSD用于筆記本電腦、引導驅(qū)動器或成本、尺寸、功率和發(fā)熱受到限制的應用。由于M.2 SSD的大小與口香糖相當,因此是氣流非常有限的低功率應用的理想選擇。M.2 SSD的優(yōu)點同時也是它的缺點,這種SSD因有限的尺寸和熱特性而無法在容量、功率和性能上得到擴充。

重新定義NVMe SSD外形
盡管我們?nèi)詴^續(xù)為不同的服務器配置提供各種外形,但由于傳統(tǒng)NVMe SSD外形的限制,加上對服務器外形和連接器不斷變化的新要求,為未來SSD應用定義新外形的舉措便應運而生,包括更強的存儲性能和更高的存儲容量。一些注意事項包括:

  1. 通用的電路板尺寸、連接器和引腳分配,需要具有擴展能力以支持不同的 PCIe 配置和散熱要求

  2. 工作效率、空間和容量上的可擴展性,需要需要針對NAND閃存進行優(yōu)化

  3. 總擁有成本,應當有助于降低運營和資本支出

  4. 能夠為具有存儲靈活性的一系列動態(tài)解決方案提供支持,同時可在不做出任妥協(xié)的情況下提供更高性能

  5. 易于維修和管理


未來的NVMe SSD外形

考慮到以上幾點,行業(yè)專家共同采用了一套新的企業(yè) SSD 外形,即企業(yè)與數(shù)據(jù)中心 SSD 外形(EDSFF)。EDSFF由15家企業(yè)共同開發(fā),旨在解決數(shù)據(jù)中心固態(tài)存儲方面存在的上述問題?,F(xiàn)在,全球網(wǎng)絡存儲工業(yè)協(xié)會負責維護這一新外形的定義,將其作為 SFF 技術聯(lián)盟技術工作組(SFF TA TWG)的一部分。


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E1.L

E1.L外形旨在最大程度地提高1U服務器或存儲陣列(JBOD和JBOF)中每個驅(qū)動器和每個機架單元的容量,同時實現(xiàn)更出色的管理、維修和散熱特性。垂直安裝在1U機架中時,可提供適合4通道或8通道PCIe的選項,允許針對每個驅(qū)動器擴展帶寬;此外,還提供了各種散熱器選項,可滿足不同功率和散熱環(huán)境的需求。它提高了數(shù)據(jù)中心的可維修性,采用熱插拔式設計,可通過內(nèi)置于集成外殼中的LED從正面輕松檢修。


此外,還針對高容量和密集存儲用例進行了優(yōu)化。通過提供存儲整合和更高效的存儲系統(tǒng)(TB/W),較高的每機架容量將有助于降低數(shù)據(jù)中心的總擁有成本。

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圖1:E1.L外形

E1.S
E1.S外形的構(gòu)件兼具靈活性與節(jié)能效果,適合超大規(guī)模與企業(yè)級計算節(jié)點和存儲。E1.S外形小巧,僅比M.2稍長,但它更寬,可容納更多介質(zhì)(NAND)封裝,從而提高每個驅(qū)動器的容量。與E1.L類似,E1.S垂直安裝在1U機架中。E1.S的不同版本可為功率、性能、可擴展性和熱效率提供更大的靈活性。
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圖2:E1.S外形

E3
E3外形針對2U垂直方向或1U水平方向提供多種長度和高度選項,但均采用垂直安裝方式,且針對主流2U服務器進行了優(yōu)化。與E1系列類似,E3支持熱插拔/維修,并且每個驅(qū)動器的容量要高于U.2。此設備通過增大電路板尺寸來支持更多介質(zhì)位置和封裝,從而最大限度地利用2U機架中的空間,與U.2單PCB設計相比,空間利用率最多可提升50%。從長遠來看,E3可能會真正替代2U服務器中的U.2。與U.2 SSD相比,E3的功率和性能更加出色,在更高的PCIe速度(PCIe 5.0及以上)下具有更優(yōu)秀的信號完整性,而且擁有更出色的散熱性能和更低的系統(tǒng)基礎架構(gòu)成本。
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3E3外形

Flashtec?系列支持未來的SSD外形
Flashtec? NVMe 3108 PCIe? Gen 4 NVMe SSD控制器支持多種外形,包括空間受限的傳統(tǒng)M.2外形以及新的EDSFF E1.S和E1.L外形。該控制器不僅支持上述外形,還支持更大的PCIe附加卡、EDSFF E3和U.2,甚至是定制外形,這類外形主要面向需要構(gòu)建標準產(chǎn)品的SSD供應商以及決定自行構(gòu)建定制驅(qū)動器和存儲解決方案的服務器OEM、存儲OEM和超大規(guī)模用戶。NVMe 3108控制器采用高度靈活且可編程的架構(gòu),配備八個最高速度達1.2 GT/s的閃存通道,再結(jié)合強大的硬件加速RAID和性能超強的ECC,能夠為具備更高層數(shù)的新一代三層單元(TLC)和四層單元(QLC)NAND技術提供滿足未來需求的支持。

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對于隨機工作負載,F(xiàn)lashtec NVMe 3108的每秒輸入輸出量(IOP)超過100萬,順序帶寬超過6 GB/s。這種解決方案確保了端到端企業(yè)級數(shù)據(jù)的完整性,可提供超高的可靠性和關鍵的安全功能,包括使用“硬件可信根”的安全啟動,這是許多新型數(shù)據(jù)中心基礎架構(gòu)的強制性要求。

Flashtec NVMe 3108繼承了NVMe 3016的優(yōu)異表現(xiàn),后者是一款16通道閃存控制器,在隨機工作負載下的IOP超過200萬,順序帶寬超過10 GB/s。

PCIe Gen 4 NVMe SSD可通過Flashtec固件開發(fā)加速工具快速完成設計,這套工具包括一個架構(gòu)仿真器,可獨立于芯片開發(fā)和調(diào)試固件。此外,還提供Flashtec NVMe評估板以及補充軟件開發(fā)套件(SDK)。

世健提供免費樣品、參考設計以及技術指導,有成功案例。





原文轉(zhuǎn)自Microchip微芯



關于世健

亞太區(qū)領先的元器件授權(quán)代理商


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世健是新加坡主板上市公司,擁有超過30年歷史。世健中國區(qū)總部設于香港,目前在中國擁有十多家分公司和辦事處,遍及中國主要大中型城市。憑借專業(yè)的研發(fā)團隊、頂尖的現(xiàn)場應用支持以及豐富的市場經(jīng)驗,世健在中國業(yè)內(nèi)享有領先地位。



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