本文中，小編將對半導(dǎo)體封裝以及功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)缺點予以介紹，如果你想對半導(dǎo)體的詳細情況有所認識，或者想要增進對半導(dǎo)體的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

一、半導(dǎo)體封裝

首先，我們來看看什么是半導(dǎo)體封裝。

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括4個部分，這4個部分分別是：晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試。半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。半導(dǎo)體封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝之后，會被切割為小的晶片(Die)，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板(引線框架)架的小島之上，然后再利用超細的金屬(金、錫、銅、鋁)導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤(Bond Pad)連接到基板的相應(yīng)引腳(Lead)上,并構(gòu)成符合要求的電路;然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，在塑封之后，我們還需要進行一系列操作，比如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、電鍍(Plating)以及打印等諸多工藝。在封裝完成后，通常通過“進貨”，“測試”和“包裝”對成品進行測試，最后才是將其存儲以進行裝運。 半導(dǎo)體典型的包裝過程是：切塊，裝載，粘合，塑料封裝，除毛刺，電鍍，修整和成型，外觀檢查，成品測試，包裝和運輸。

半導(dǎo)體(包括集成電路和分立器件)和芯片的封裝經(jīng)歷了幾代的變化，從DIP，SOP，QFP，PGA，BGA到MCP，再到SIP。 技術(shù)指標代代相傳，包括芯片面積和封裝面積。 比例越來越接近1，適用頻率越來越高，耐溫性越來越好，插針數(shù)量增加，插針間距減小，重量減輕，可靠性提高 ，使用起來更加方便。 包裝有很多類型，每種類型的包裝都有其獨特的功能，即優(yōu)點和缺點。 當(dāng)然，所使用的包裝材料，包裝設(shè)備和包裝技術(shù)會根據(jù)其需求而變化。

二、功率半導(dǎo)體器件優(yōu)缺點

在了解了半導(dǎo)體封裝的相關(guān)知識后，我們再來看看功率半導(dǎo)體是什么以及功率半導(dǎo)體的優(yōu)缺點。電力電子器件(PowerElectronicDevice)又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)。功率半導(dǎo)體優(yōu)缺點主要如下所示。

電力二極管：功率半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)和原理簡單，并且工作可靠;

晶閘管：功率半導(dǎo)體承受電壓和電流容量在所有器件中最高，實屬優(yōu)異;

IGBT：功率半導(dǎo)體開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小;缺點：開關(guān)速度低于電力MOSFET，電壓，電流容量不及GTO

GTR：功率半導(dǎo)體耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強，飽和壓降低;缺點：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題

GTO：功率半導(dǎo)體電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強;缺點：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低

MOSFET：功率半導(dǎo)體開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題;缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。

制約因素：功率半導(dǎo)體十分耐壓，電流容量，開關(guān)的速度。

以上便是小編此次帶來的有關(guān)半導(dǎo)體封裝和功率半導(dǎo)體的優(yōu)缺點的全部內(nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。