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[導(dǎo)讀]以下內(nèi)容中,小編將對(duì)MCP存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述。

以下內(nèi)容中,小編將對(duì)MCP存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)這兩款不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器的了解,和小編一起來(lái)看看吧。

一、什么是MCP存儲(chǔ)器

首先,我們來(lái)了解下什么是MCP存儲(chǔ)器以及MCP存儲(chǔ)器的一些相關(guān)內(nèi)容。

當(dāng)前給定的MCP存儲(chǔ)器的概念為:MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi),垂直堆疊大小不同的各類(lèi)存儲(chǔ)器或非存儲(chǔ)器芯片,是一種一級(jí)單封裝的混合技術(shù),用此方法節(jié)約小巧印刷電路板PCB空間。MCP中使用的芯片的復(fù)雜性相對(duì)較低,并且不需要高氣密性和嚴(yán)格的機(jī)械沖擊測(cè)試要求。當(dāng)在有限的PCB區(qū)域中使用高密度封裝時(shí),MCP成為首選。 經(jīng)過(guò)最近的技術(shù)變革,它已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了更高的堆積密度。目前,MCP通常具有內(nèi)置的3-9層垂直堆疊的存儲(chǔ)器。 MCP器件可以包括非NOR或非NAND結(jié)構(gòu)的閃存以及其他用于手機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)SRAM芯片層。 如果沒(méi)有高效的空間比例MCP,那么高端手機(jī)幾乎不可能實(shí)現(xiàn)多功能。 MCP繼續(xù)使新的包裝設(shè)計(jì)能夠成功地在實(shí)際生產(chǎn)中使用。 通過(guò)堆疊封裝將芯片集成在一起,以實(shí)現(xiàn)更高的性能密度,更好的集成度,更低的功耗,更大的靈活性和更低的成本。目前,手機(jī)存儲(chǔ)芯片封裝的批量生產(chǎn)主要是開(kāi)發(fā)在數(shù)碼相機(jī),PDA和某些筆記本計(jì)算機(jī)產(chǎn)品中的應(yīng)用。

MCP關(guān)鍵技術(shù)半導(dǎo)體晶圓后段制程技術(shù)加快了開(kāi)發(fā)速度,允許將某些類(lèi)型的某些芯片以適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)集成到單個(gè)一級(jí)封裝中,結(jié)構(gòu)分為金字塔型和懸臂型堆疊。前者的特征是芯片尺寸從下到上越來(lái)越小,而后者與堆疊芯片的尺寸相同。 MCP變得越來(lái)越個(gè)性化,可以為客戶提供獨(dú)特的應(yīng)用程序解決方案。它比單芯片封裝具有更高的效率。 它的重要性正在迅速提高。 所涉及的關(guān)鍵過(guò)程包括如何確保產(chǎn)品合格率和減小芯片厚度。 如果是相同的芯片堆棧裝配和密集的引線鍵合技術(shù)。

二、相變存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

在了解了MCP存儲(chǔ)器后,我們?cè)賮?lái)看看相變存儲(chǔ)器到底是個(gè)什么東西。

相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過(guò)比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲(chǔ)器以及硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案,*估PCM的相對(duì)成本、效能和可靠度,可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)域,以及這項(xiàng)新技術(shù)的潛在價(jià)值。相變存儲(chǔ)器材料具有訪問(wèn)速度快、可靠性高的優(yōu)點(diǎn),與其他存儲(chǔ)器相比具有更廣闊的應(yīng)用空間和更好的發(fā)展趨勢(shì)。 預(yù)計(jì)它將取代目前眾所周知的傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù),例如USB閃存驅(qū)動(dòng)器中使用的可斷電內(nèi)存技術(shù)以及應(yīng)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的不間斷電源存儲(chǔ)的DRAM技術(shù)等等。 盡管人們逐漸認(rèn)識(shí)到了新存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢(shì),但在實(shí)踐中如何應(yīng)用它們卻存在差異。相變存儲(chǔ)器的訪問(wèn)時(shí)間短,并且具有字節(jié)可尋址特性。它的寫(xiě)入延遲大約是DRAM的10倍,這使其在設(shè)計(jì)參考中直接執(zhí)行固件代碼方面顯示出優(yōu)勢(shì),并且作為DRAM的代替品被廣泛研究。關(guān)閉計(jì)算機(jī)電源后,使用DRAM的傳統(tǒng)方法是丟失主存儲(chǔ)器中的所有數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)需要重新啟動(dòng),以再次從外部存儲(chǔ)器讀取操作系統(tǒng)數(shù)據(jù),這會(huì)花費(fèi)更多時(shí)間。一些研究人員使用NOR閃存作為主存儲(chǔ)器可以解決計(jì)算機(jī)斷電數(shù)據(jù)丟失的問(wèn)題,但是閃存具有擦除和寫(xiě)入受限,隨機(jī)寫(xiě)入性能差以及寫(xiě)入延遲大的缺點(diǎn)。使用相變存儲(chǔ)器或基于相變存儲(chǔ)器的異構(gòu)主存儲(chǔ)器方法。 以上問(wèn)題可以更好地解決。

經(jīng)由小編的介紹,不知道你對(duì)MCP存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器是否充滿了興趣?如果你想對(duì)MCP存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器有更多的了解,不妨嘗試度娘更多信息或者在我們的網(wǎng)站里進(jìn)行搜索哦。

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