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[導(dǎo)讀]中國半導(dǎo)體設(shè)備、材料、技術(shù)等多個(gè)方面,仍被海外“卡脖子”。好在,我國在刻蝕機(jī)領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)突破,據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示,我國刻蝕設(shè)備的國產(chǎn)化率在20%以上,是我國最具優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體設(shè)備。

中國半導(dǎo)體設(shè)備、材料、技術(shù)等多個(gè)方面,仍被海外“卡脖子”。好在,我國在刻蝕機(jī)領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)突破,據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示,我國刻蝕設(shè)備的國產(chǎn)化率在20%以上,是我國最具優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體設(shè)備。

半導(dǎo)體制造需要很多的步驟,刻蝕是半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán),刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除,從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上??涛g過程需要用到刻蝕機(jī)這一設(shè)備。如今,我國在光刻機(jī)領(lǐng)域雖然還難以突破,但在刻蝕機(jī)領(lǐng)域,我國已經(jīng)實(shí)現(xiàn)突圍。

全球芯片目前處于一個(gè)非常關(guān)鍵的時(shí)期,一個(gè)小小的芯片,可能需要經(jīng)歷很繁瑣的制造工藝過程,比如芯片的最初設(shè)計(jì),再到制造以及封測,每一個(gè)看似獨(dú)立的過程里卻聯(lián)系十分緊密一段,哪個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題,這款芯片可能就是白搭了。而在全球市場上和美國相比較,我們的技術(shù)應(yīng)該算得上是比較落后的,因?yàn)閷?duì)于芯片的進(jìn)口依賴程度非常的高,而自主研發(fā)的能力又比較弱。

中微半導(dǎo)體是我國刻蝕機(jī)領(lǐng)頭羊企業(yè),如今已經(jīng)打入臺(tái)積電的生產(chǎn)線,由尹志堯在2004年一手創(chuàng)建。由于眾所周知的原因,我國近期在光刻機(jī)領(lǐng)域很難有突破了,但是在半導(dǎo)體其他方面還是突破不斷,十余年的堅(jiān)持讓中微半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)了從6.5nm,到最領(lǐng)先的5nm的攻克。而且,中微半導(dǎo)體5nm刻蝕機(jī),還成功打入臺(tái)積電生產(chǎn)線。為此,中微半導(dǎo)體成為大陸本土設(shè)備商中,唯一被臺(tái)積電認(rèn)可的廠商。并且手握了將近1142項(xiàng)“刻蝕機(jī)”的專利,他們的目標(biāo)就是下一步走向國際市場。

或許有些人對(duì)中微半導(dǎo)體比較陌生,也不明白刻蝕機(jī)具體是做什么的。首先中微半導(dǎo)體的創(chuàng)始人是尹志堯,畢業(yè)于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué),后海外留學(xué)加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校,獲得物理化學(xué)博士學(xué)位。中微半導(dǎo)體的實(shí)力是不可小覷的,其生產(chǎn)的刻蝕機(jī)已經(jīng)進(jìn)入到5nm制程階段,也是中國少數(shù)打入臺(tái)積電供應(yīng)鏈的大陸企業(yè)。不僅如此,中微半導(dǎo)體也曾為長江存儲(chǔ)提供9臺(tái)刻蝕機(jī)設(shè)備。該公司在2020年度預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤在4.4億元到5.2億元間。相比2019年,歸母凈利潤有望實(shí)現(xiàn)同比133.34%到175.77%的增長。中微公司正式成立于2004年,是國產(chǎn)蝕刻機(jī)領(lǐng)域當(dāng)之無愧的龍頭企業(yè)。短短十幾年的時(shí)間,中微公司自主研發(fā)的蝕刻機(jī)精度從65nm一路突飛猛進(jìn),升級(jí)到5nm。這個(gè)過程中,中微公司不僅追平了國際大廠,而且還做到了世界領(lǐng)先水平。

除了中微科技,還有北方華創(chuàng)企業(yè),業(yè)績連續(xù)三年復(fù)合增長率超過30%,上市十年,一步一步從一家名不見經(jīng)傳的小公司成長為國內(nèi)集成電路工藝裝備的龍頭企業(yè),這家公司正是北方華創(chuàng)。北方華創(chuàng)更是成為蝕刻機(jī)、PVD、CVD等設(shè)備國產(chǎn)化第一先鋒。公司2020年凈利潤在4.6億到5.8億之間,同比增長超過48%,在疫情影響下能去如此出色的成績著實(shí)難得。北方華創(chuàng)的刻蝕設(shè)備已經(jīng)覆蓋集成電路、LED、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體、MEMS微機(jī)電系統(tǒng)、化合物半導(dǎo)體、硅基微顯、分析儀器、功率器件、光通信器件等多個(gè)領(lǐng)域,硅刻蝕機(jī)已突破14nm技術(shù),進(jìn)入主流芯片代工廠。其中,12英寸ICP刻蝕機(jī)在實(shí)現(xiàn)客戶端28nm國產(chǎn)化替代,并在14/7nm SADP/SAQP、先進(jìn)存儲(chǔ)器、3D TSV等工藝應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。

雖然一些“禁令”都讓中國企業(yè)陷入困境,但我們都知道天無絕人之路,方法總比困難多,中國半導(dǎo)體行業(yè)在這些禁令的打壓下將會(huì)慢慢站起來,擺脫發(fā)達(dá)國家對(duì)于技術(shù)的束縛。相信中國必將走出這些困境,成功打破國外的壟斷,走出屬于自己的半導(dǎo)體之路。

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