中國半導體設備、材料、技術等多個方面，仍被海外“卡脖子”。好在，我國在刻蝕機領域已經(jīng)實現(xiàn)突破，據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，我國刻蝕設備的國產(chǎn)化率在20%以上，是我國最具優(yōu)勢的半導體設備。

半導體制造需要很多的步驟，刻蝕是半導體制造中十分關鍵的一環(huán)，刻蝕通過物理或化學方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復制到涂膠硅片上。刻蝕過程需要用到刻蝕機這一設備。如今，我國在光刻機領域雖然還難以突破，但在刻蝕機領域，我國已經(jīng)實現(xiàn)突圍。

全球芯片目前處于一個非常關鍵的時期，一個小小的芯片，可能需要經(jīng)歷很繁瑣的制造工藝過程，比如芯片的最初設計，再到制造以及封測，每一個看似獨立的過程里卻聯(lián)系十分緊密一段，哪個環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題，這款芯片可能就是白搭了。而在全球市場上和美國相比較，我們的技術應該算得上是比較落后的，因為對于芯片的進口依賴程度非常的高，而自主研發(fā)的能力又比較弱。

中微半導體是我國刻蝕機領頭羊企業(yè)，如今已經(jīng)打入臺積電的生產(chǎn)線，由尹志堯在2004年一手創(chuàng)建。由于眾所周知的原因，我國近期在光刻機領域很難有突破了，但是在半導體其他方面還是突破不斷，十余年的堅持讓中微半導體成功實現(xiàn)了從6.5nm，到最領先的5nm的攻克。而且，中微半導體5nm刻蝕機，還成功打入臺積電生產(chǎn)線。為此，中微半導體成為大陸本土設備商中，唯一被臺積電認可的廠商。并且手握了將近1142項“刻蝕機”的專利，他們的目標就是下一步走向國際市場。

或許有些人對中微半導體比較陌生，也不明白刻蝕機具體是做什么的。首先中微半導體的創(chuàng)始人是尹志堯，畢業(yè)于中國科學技術大學，后海外留學加利福尼亞大學洛杉磯分校，獲得物理化學博士學位。中微半導體的實力是不可小覷的，其生產(chǎn)的刻蝕機已經(jīng)進入到5nm制程階段，也是中國少數(shù)打入臺積電供應鏈的大陸企業(yè)。不僅如此，中微半導體也曾為長江存儲提供9臺刻蝕機設備。該公司在2020年度預計實現(xiàn)歸母凈利潤在4.4億元到5.2億元間。相比2019年，歸母凈利潤有望實現(xiàn)同比133.34%到175.77%的增長。中微公司正式成立于2004年，是國產(chǎn)蝕刻機領域當之無愧的龍頭企業(yè)。短短十幾年的時間，中微公司自主研發(fā)的蝕刻機精度從65nm一路突飛猛進，升級到5nm。這個過程中，中微公司不僅追平了國際大廠，而且還做到了世界領先水平。

除了中微科技，還有北方華創(chuàng)企業(yè)，業(yè)績連續(xù)三年復合增長率超過30%，上市十年，一步一步從一家名不見經(jīng)傳的小公司成長為國內(nèi)集成電路工藝裝備的龍頭企業(yè)，這家公司正是北方華創(chuàng)。北方華創(chuàng)更是成為蝕刻機、PVD、CVD等設備國產(chǎn)化第一先鋒。公司2020年凈利潤在4.6億到5.8億之間，同比增長超過48%，在疫情影響下能去如此出色的成績著實難得。北方華創(chuàng)的刻蝕設備已經(jīng)覆蓋集成電路、LED、先進封裝、功率半導體、MEMS微機電系統(tǒng)、化合物半導體、硅基微顯、分析儀器、功率器件、光通信器件等多個領域，硅刻蝕機已突破14nm技術，進入主流芯片代工廠。其中，12英寸ICP刻蝕機在實現(xiàn)客戶端28nm國產(chǎn)化替代，并在14/7nm SADP/SAQP、先進存儲器、3D TSV等工藝應用中發(fā)揮著重要作用。

雖然一些“禁令”都讓中國企業(yè)陷入困境，但我們都知道天無絕人之路，方法總比困難多，中國半導體行業(yè)在這些禁令的打壓下將會慢慢站起來，擺脫發(fā)達國家對于技術的束縛。相信中國必將走出這些困境，成功打破國外的壟斷，走出屬于自己的半導體之路。