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[導讀]在下述的內容中,小編將會對TI DRV8353M 系列柵極驅動器的相關消息予以報道。

在下述的內容中,小編將會對TI DRV8353M 系列柵極驅動器的相關消息予以報道,如果這款產(chǎn)品是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

DRV8353M 系列器件是用于三相電機驅動應用的集成 100V 柵極驅動器。這些器件通過集成三個獨立的半橋柵極驅動器、電荷泵和用于高側和低側柵極驅動器電源電壓的線性穩(wěn)壓器、可選的三路分流放大器和可選的 350mA 來減少系統(tǒng)組件數(shù)量、成本和復雜性降壓調節(jié)器。標準串行外設接口 (SPI) 提供了一種通過外部控制器配置各種設備設置和讀取故障診斷信息的簡單方法?;蛘?,硬件接口 (H/W) 選項允許通過固定的外部電阻器配置最常用的設置。柵極驅動器支持外部 N 溝道高側和低側功率 。MOSFET,并且可以以 25mA 的平均輸出電流驅動高達 1A 的拉電流、2A 的吸收峰值電流。高端柵極驅動電源電壓使用倍增電荷泵架構生成,該架構將 VCP 輸出調節(jié)至 VVDRAIN + 10.5V。低側柵極驅動電源電壓使用來自 VM 電源的線性穩(wěn)壓器生成,該穩(wěn)壓器將 VGLS 輸出調節(jié)至 14.5V。 VGLS 電源在 GLx 低側柵極驅動器上進一步調節(jié)至 11V。

輸出。智能柵極驅動架構能夠動態(tài)調整輸出柵極驅動電流強度,從而允許柵極驅動器控制功率 MOSFET VDS 開關速度。這允許移除外部柵極驅動電阻器和二極管,從而減少 BOM 組件數(shù)量、成本和 PCB 面積。該架構還使用內部狀態(tài)機來防止柵極驅動短路事件、控制半橋死區(qū)時間并防止外部功率 MOSFET 的 dV/dt 寄生導通。柵極驅動器可以在單電源或雙電源架構中運行。在單電源架構中,VM 可以連接到 VDRAIN 并在內部調節(jié)到正確的電源電壓。在雙電源架構中,VM 可以連接到來自更高效開關穩(wěn)壓器的較低電壓電源,以提高設備效率。 VDRAIN 保持連接到外部 MOSFET,以設置正確的電荷泵和過流監(jiān)視器參考。

DRV8353 器件集成了三個雙向分流放大器,用于使用低側分流電阻器監(jiān)控通過每個外部半橋的電流水平。并聯(lián)放大器的增益設置可以通過 SPI 或硬件接口進行調整,SPI 提供額外的靈活性來調整。

輸出偏置點。除了高度的器件集成之外,DRV8353M 系列器件還提供廣泛的集成保護功能。這些功能包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、柵極驅動欠壓鎖定 (GDUV)、VDS 過流監(jiān)控 (OCP)、柵極驅動器短路檢測 (GDF) 和過熱關斷 (OTW/OTSD)。故障事件由 nFAULT 引腳指示,并在 SPI 設備版本的 SPI 寄存器中提供詳細信息。

DRV8353M 系列器件采用 0.5 毫米引腳間距、QFN 表面貼裝封裝。 40 引腳封裝的 QFN 尺寸為 6 × 6 mm。

DRV8353M 系列器件采用智能柵極驅動架構,允許用戶動態(tài)調整柵極驅動電流,而無需外部柵極限流電阻器。 此外,該架構為外部 MOSFET 提供了多種保護功能,包括自動死區(qū)時間插入、寄生 dV/dt 柵極導通預防和柵極故障檢測。

DRV8353M 系列器件提供四種不同的 PWM 控制模式,以支持各種換向和控制方法。 TI不建議在功率 MOSFET 運行期間更改 MODE 引腳或 PWM_MODE 寄存器。 在進行 MODE 或 PWM_MODE 更改之前,將所有 INHx 和 INLx 引腳設置為邏輯低電平。

DRV8353M 系列器件支持兩種不同的接口模式(SPI 和硬件),以允許最終應用設計靈活或簡單。 兩種接口模式共享相同的四個引腳,允許不同版本的引腳兼容。 這允許應用程序設計人員使用一個接口版本進行評估,并有可能在對其設計進行最少修改的情況下切換到另一個。

硬件接口設備將四個 SPI 引腳轉換為四個電阻可配置輸入,GAIN、IDRIVE、MODE 和 VDS。 這允許應用程序設計人員通過將引腳邏輯連接為高電平或邏輯低電平,或使用簡單的上拉或下拉電阻來配置最常用的設備設置。 這消除了外部控制器對 SPI 總線的要求。 仍然可以通過 nFAULT 引腳獲得一般故障信息。

以上便是小編此次帶來的有關TI DRV8353M 系列柵極驅動器全部內容,十分感謝大家的耐心閱讀,想要了解更多相關內容,或者更多精彩內容,請一定關注我們網(wǎng)站哦。

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