服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。SiC晶圓升級到200mm標志著ST面向汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃取得重要的階段性成功，鞏固了ST在這一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，提高了電力電子芯片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的總擁有成本。

意法半導(dǎo)體的首批200mm SiC晶圓片質(zhì)量上乘，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷非常少。低缺陷率的取得離不開意法半導(dǎo)體碳化硅公司(前身是Norstel公司，2019年被ST收購)在SiC硅錠生長技術(shù)開發(fā)方面的深厚積累和沉淀。除了晶圓片滿足嚴格的質(zhì)量標準外，SiC晶圓升級到200mm還需要對制造設(shè)備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進行升級更換。意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。

意法半導(dǎo)體先進的量產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亞(意大利)和宏茂橋(新加坡)兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳(中國)和布斯庫拉(摩洛哥)的兩家封測廠進行的。這個階段性成功是意法半導(dǎo)體布局更先進的、高成本效益的200mm SiC量產(chǎn)計劃的組成部分。SiC晶圓升級到200mm屬于公司正在執(zhí)行的SiC襯底建新廠和內(nèi)部采購SiC襯底占比超40%的生產(chǎn)計劃。

意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示：“汽車和工業(yè)市場正在加快推進系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化進程，SiC晶圓升級到200mm將會給我們的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大好處。隨著產(chǎn)量擴大，提升規(guī)模經(jīng)濟效益是很重要的。在覆蓋整個制造鏈的內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)方面積累深厚的專業(yè)知識，可以提高我們的制造靈活性，更有效地控制晶圓片的良率和質(zhì)量改進。”

編輯參考信息

碳化硅是一種化合物半導(dǎo)體材料，在電動汽車和工業(yè)制造過程等重要的高增長的電力應(yīng)用領(lǐng)域，與硅材料相比，碳化硅的本征特性可提供更高的性能和能效。ST 在 SiC 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位歸功于 25 年的專注和研發(fā)投入，擁有 70 多項專利。這項顛覆性技術(shù)可實現(xiàn)更高效的電能轉(zhuǎn)換，更小的更輕量化的設(shè)計，節(jié)省更多的系統(tǒng)設(shè)計總體成本，這些都是決定汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和因素。與 150mm晶圓相比，200mm晶圓可增加產(chǎn)能，將制造集成電路可用面積幾乎擴大1 倍，合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8 - 1.9 倍。