（全球TMT2021年11月22日訊）11月19日，集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟與科百特聯(lián)合舉辦的2021集成電路超凈工藝技術Workshop在杭州蕭山區(qū)舉行。會議采用了線上線下同時進行的形式，來自集成電路制造、硅材料、工藝化學品、光刻膠、CMP材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的高層、技術人員及研究院所的學者共計約80余人參加了此次會議，共同探討新技術要求下的潔凈控制。

在Workshop期間，安集微電子科技（上海）股份有限公司（簡稱“安集科技”）產(chǎn)品應用副總監(jiān)王勝利應邀發(fā)表題為《先進制程刻蝕后清洗技術》演講報告。在演講中，王勝利主要分享了邏輯器件先進技術節(jié)點的后段干法刻蝕殘留物的清洗工藝技術、特別分享了有氮化鈦硬掩膜的濕法去除要求的清洗技術指標和實際數(shù)據(jù)。在下一世代的半導體工藝技術的展望中，王勝利探討了半導體工藝中新材料和新架構對功能性型化學品提出的挑戰(zhàn)與機遇。在邏輯器件5nm以后世代中GAA 結構的出現(xiàn)，Ru及Air Gap的引入；在3D NAND器件中，更高層數(shù)的堆疊帶來的極高深寬比和Molly的引入， 以及在D1Z世代的DRAM中，Low K材料以及新的電容材料的引入，帶來了很多新的并且很有挑戰(zhàn)性的功能性化學品機會，并展示了安集科技對于這些新的應用的理解和研發(fā)布局。