宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商，基于eGaN®FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個(gè)功率放大器，而在接收端無(wú)論是采用什么標(biāo)準(zhǔn)，也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電。

我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)工程師蒞臨中國(guó)上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11時(shí)在上海世博展覽館B2層2號(hào)會(huì)議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(huì)(電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)研討會(huì))。屆時(shí)EPC公司的應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高功率、高度共振式無(wú)線充電應(yīng)用中，如何選擇放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從而滿足客戶在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上的要求。

近年來(lái)，配備無(wú)線充電功能的消費(fèi)產(chǎn)品推動(dòng)了無(wú)線充電的快速發(fā)展。無(wú)線充電的普及要求器件可以在6.78 MHz和13.56 MHz的更高ISM頻段工作。共振式系統(tǒng)在該頻段允許高效率和高空間自由度，可同時(shí)對(duì)不同功率級(jí)的設(shè)備及對(duì)多個(gè)設(shè)備同時(shí)充電。在這些高頻率下，傳統(tǒng)的MOSFET技術(shù)已經(jīng)接近其性能極限。作為硅基功率MOSFET的替代器件 -- 增強(qiáng)型eGaN® FET的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度在亞納秒范圍內(nèi)，可以在高頻、高壓下工作，因此是無(wú)線電源應(yīng)用的理想器件。

EPC的解決方案是在高度共振式無(wú)線功率系統(tǒng)、工作在6.78 MHz頻率、采用差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的比較，并且根據(jù)AirFuel™ Class 4標(biāo)準(zhǔn)，可對(duì)負(fù)載提供最大33 W的功率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在25°C環(huán)境溫度下，這兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使得放大器可以在整個(gè)功率負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)超過(guò)85%的效率，而場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)并不會(huì)超過(guò)80%的額定電壓或超過(guò)100°C器件溫度。

EPC公司推出了第五代eGaN FET器件，包括EPC2046(200 V、RDS(on) 最大值為25 mΩ、55 A 脈沖輸出電流))和EPC2047eGaN FET (10 mΩ、200 V)，并備有開(kāi)發(fā)板EPC9081。EPC2046 和 EPC2047都支持無(wú)線充電應(yīng)用。