2019年存儲器產(chǎn)業(yè)資本支出將占今年半導體總資本支出總額的43%，低于2018年的49%(圖1)。預計2019年半導體總資本支出將下滑8%，至978億美元，低于2018年創(chuàng)紀錄的1059億美元。

來源：IC Insights

IC Insights公布數(shù)據(jù)顯示，存儲器設(shè)備資本支出占產(chǎn)業(yè)支出比重在過去7年內(nèi)大幅增加，從2013年的27%(147億美元)增長至2018年的49%(520億美元)，若今年以43%(416億美元)計算，等同于2013-2019年復合年成長率18.9%。

2017至2018年資本投入最多的IC產(chǎn)品子類是NAND Flash和非易失性存儲器。不過，在過去的18個月，隨著三星、SK海力士和美光增加DRAM和NANDFlash產(chǎn)量，而英特爾、東芝存儲器、西部數(shù)據(jù)、SanDisk、武漢新芯、以及長江存儲等廠都在加速擴充3D NAND產(chǎn)能，導致DRAM和NAND Flash都進入供過于求的市場局面，價格開始走低。

IC Insights預計，2019年DRAM和閃存領(lǐng)域的資本支出將分別下降19%和21%(圖2)。存儲器資本支出總額預計為416億美元，比去年減少104億美元。主要存儲器廠商希望通過大幅降低DRAM和閃存資本開支，來避免未來一年半價格繼續(xù)走低。

來源：IC Insights

暴跌的單位存儲價格，以及2019年將大幅收縮的存儲器產(chǎn)業(yè)資本開支，都證明了存儲器市場格局已經(jīng)逆轉(zhuǎn)。而何時止跌，很大程度上取決于存儲器廠商如何調(diào)節(jié)資本開支，以及低價能否刺激市場需求增加。