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[導(dǎo)讀]這些RF開關(guān)采用英飛凌的專利MOS技術(shù)制造,具有砷化鎵(GaAs)開關(guān)的性能,并具有傳統(tǒng)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)開關(guān)的經(jīng)濟(jì)性、集成度和靜電放電(ESD)魯棒性。與采用GaAs技術(shù)的開關(guān)不同,這些RF開關(guān)只有當(dāng)外部施加直流電壓時,才需要在RF端口上使用外部隔直電容器。

寬帶RF分集開關(guān)BGS14WMA9和BGS12WN6具有高開關(guān)速度,它們針對WLAN和藍(lán)牙應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,可為FM廣播、LTE、LAA和5G應(yīng)用提供0.05至6.0GHz寬帶支持。

除了高開關(guān)速度外,這兩種類型RF開關(guān)還提供高達(dá)26dBm輸入功率的高線性度、低插入損耗和高達(dá)6GHz的端口到端口高隔離度。其低耗電量可進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)級的功耗。

這些RF開關(guān)采用英飛凌的專利MOS技術(shù)制造,具有砷化鎵(GaAs)開關(guān)的性能,并具有傳統(tǒng)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)開關(guān)的經(jīng)濟(jì)性、集成度和靜電放電(ESD)魯棒性。與采用GaAs技術(shù)的開關(guān)不同,這些RF開關(guān)只有當(dāng)外部施加直流電壓時,才需要在RF端口上使用外部隔直電容器。

BGS12WN6是具有兩個端口的單刀雙擲(SPDT)分集開關(guān),而BGS14WMA9是包括四個RF端口的單刀四擲(SP4T)開關(guān),每個端口都可以用作分集天線的終端,可處理高達(dá)26dBm功率。

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