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[導(dǎo)讀]LFPAK封裝系列用于提高功率密度。其主要特點(diǎn)是在封裝內(nèi)部使用了全銅夾片,在外部使用了鷗翼引腳。安世半導(dǎo)體在2002年率先推出LFPAK56封裝 - 它是一款功率SO8封裝(5mm x 6mm),設(shè)計(jì)用于替代體積更大的DPAK封裝。

 

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總部位于荷蘭的安世半導(dǎo)體是分立器件、MOSFET器件、模擬和邏輯集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,該公司率先在-功率封裝(LFPAK無損封裝)內(nèi)部采用了全銅夾片芯片貼裝技術(shù),目的是實(shí)現(xiàn)多種技術(shù)優(yōu)勢(shì)(電流能力、RDSon、熱特性等)。

專為提高功率密度設(shè)計(jì)的LFPAK封裝系列

LFPAK封裝系列用于提高功率密度。其主要特點(diǎn)是在封裝內(nèi)部使用了全銅夾片,在外部使用了鷗翼引腳。安世半導(dǎo)體在2002年率先推出LFPAK56封裝 - 它是一款功率SO8封裝(5mm x 6mm),設(shè)計(jì)用于替代體積更大的DPAK封裝?,F(xiàn)在,該公司提供了一系列不同尺寸的封裝,包含單雙通道MOSFET配置,可涵蓋眾多不同應(yīng)用。最近,安世半導(dǎo)體發(fā)布了LFPAK88,這是一款8mm x 8mm封裝,針對(duì)較高功率的應(yīng)用而設(shè)計(jì),可取代體積更大的D²PAK和D²PAK-7封裝。

圖1:LFPAK分立式MOSFET封裝系列

夾片粘合封裝與焊線封裝:功率密度優(yōu)勢(shì)

LFPAK器件的體積小于老式D²PAK和D²PAK-7器件,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了功率密度的明顯提升。顯示了LFPAK88的相對(duì)占位面積大小,與D²PAK器件相比減小了60%;另外LFPAK88器件的高度更低,因而總體積減小了86%。

LFPAK88之所以能夠?qū)崿F(xiàn)性能和功率密度的提升,是因?yàn)樗捎昧算~夾片封裝技術(shù),取代了D²PAK和D²PAK7等封裝采用的老式焊線技術(shù)。

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