新能源汽車EV具有約為59%-62%的轉換效率，而且依然有提升的潛力。而我們的內(nèi)燃機正在為努力達到21%的效率抓破了頭。但至少有一個可能的路線能夠提高電動汽車的性能，就是采用新型半導體開關用于動力傳動系統(tǒng)。要實現(xiàn)更高的效率，關鍵是功率轉換效率。這些難題似乎已被IGBT攻克，然而隨著技術的更新，在許多應用中IGBT已經(jīng)被碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料制造的寬帶隙(WBG)半導體技術所取代。

新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET——UF3SC。據(jù)介紹，該產(chǎn)品的RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中，一款產(chǎn)品額定電壓值為650V，RDS(on)為7 mΩ，另外三款電壓額定值為1200V，RDS(on)分別為9和16 mΩ。

UnitedSiC工程師表示，與Si器件相比，SiC功率器件可以有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化。此外，基于卓越的電阻特性，能量損耗可降低70-90%。 因此可以大大改善系統(tǒng)上的散熱。由于SiC可承受更高的溫度，即可實現(xiàn)更高的集成。這將會滿足未來客戶對系統(tǒng)體積小型化，輕量化的訴求。其中，出色的二極管特性使得Vf僅為2V，與傳統(tǒng)的SiC MOSFET 3.5V相比提高了不少，從而大大降低了二極管的損耗。