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[導讀]莫大康認為EUV工藝面臨三大挑戰(zhàn):首先是光源效率,即每小時刻多少片,按照工藝要求,要達到每小時250片,而現(xiàn)在EUV光源效率達不到這個標準,因此還需進一步提高,且技術難度相當大。其次是光刻膠,光刻膠的問題主要體現(xiàn)在:EUV光刻機和普通光刻機原理不同

作為EUV設備唯一提供商,市場預估荷蘭ASML公司籍此EUV設備年增長率將超過66%。這個目標是否能實現(xiàn)?EUV工藝在發(fā)展過程中面臨哪些挑戰(zhàn)?產(chǎn)業(yè)化進程中需要突破哪些瓶頸?

設備讓摩爾定律再延伸三代工藝

光刻是集成電路生產(chǎn)過程中最復雜、難度最大也是最為關鍵的工藝,它對芯片的工藝制程起著決定性作用。193nm浸沒式光刻技術自2004年年底由臺積電和IBM公司應用以來,從90nm節(jié)點一直延伸到10nm節(jié)點,經(jīng)歷了12年時間,是目前主流的光刻工藝。但是進入7nm工藝后,它的制約也越來越明顯,因此EUV工藝堂而皇之走上舞臺。

全球EUV光刻技術的研發(fā)始于20世紀80年代,經(jīng)過近40年的發(fā)展,EUV技術從原理到零部件再到原材料等已經(jīng)足夠成熟,并且在現(xiàn)階段的產(chǎn)業(yè)應用中體現(xiàn)了較明顯優(yōu)勢。

賽迪智庫集成電路研究所王珺在接受《中國電子報》記者采訪時表示,極紫外光(EUV)短于深紫外光(DUV)的波長,這讓EUV光刻技術的應用顯著提升了光刻機曝光分辨率,進而帶動晶體管特征尺寸的縮減。制造企業(yè)在28nm及以下工藝的解決方案使用浸沒式和多重曝光技術。但是進入7nm工藝,DUV的多重曝光次數(shù)增長太多,讓制造成本、難度、良率、交付期限均顯著惡化。在關鍵層應用EUV光刻技術,從而減少曝光次數(shù),進而帶來制造成本與難度的降低,這讓EUV光刻技術具備了足夠的生產(chǎn)價值。

“EUV光刻機在5nm及以下工藝具有不可替代性,在未來較長時間內(nèi)應用EUV技術都將成為實現(xiàn)摩爾定律發(fā)展的重要方向。”王珺說。因此,從工藝技術和制造成本綜合因素考量,EUV設備被普遍認為是7nm以下工藝節(jié)點最佳選擇,它可以繼續(xù)往下延伸三代工藝,讓摩爾定律再至少延長10年時間。

DRAM存儲器將帶動EUV光刻機增長

在臺積電、三星、英特爾繼續(xù)延續(xù)摩爾定律進行工藝發(fā)展的帶動下,EUV光刻機的應用數(shù)量將持續(xù)提升。

王珺表示,從目前看,對EUV光刻技術具有明顯應用需求的芯片包括應用處理器、CPU、DRAM存儲器、基帶芯片。

半導體專家莫大康認為,ASML公司EUV設備產(chǎn)量若要進一步擴大,希望就落在存儲器廠商身上。他向《中國電子報》記者表示,目前看,EUV光刻機主要賣給三家公司:英特爾、三星和臺積電,其中臺積電訂得最多。他介紹說,存儲器主要分為兩種:一種是DRAM,另一種是3D NAND。3D NAND目前的競爭主要集中在層數(shù)上,雖然也需要工藝的先進性,但需求不那么迫切。而DRAM存儲器則不同,一方面其產(chǎn)量比較大,另一方面若做到1Z(12~14nm)以下,就可能需要用到EUV光刻機了,屆時,存儲器廠商訂的EUV設備將有大的爆發(fā)。“但具體時間,還要看市場需求以及廠商導入情況。目前,ASML公司EUV設備一年的出貨量只有40多臺,遠遠未達到業(yè)界預期。”

EUV還需克服諸多挑戰(zhàn)

現(xiàn)階段EUV光刻技術已經(jīng)成熟,且進入產(chǎn)業(yè)化階段,但是在光刻機的光源效率、光刻膠的靈敏度等方面依然存在較大的進步空間。

有關人士指出,EUV光刻機除了價格昂貴之外(超過1億美元),最大的問題是電能消耗,電能利用率低,是傳統(tǒng)193nm光刻機的10倍,因為極紫外光的波長僅有 13.5nm,投射到晶圓表面曝光的強度只有光進入EUV設備光路系統(tǒng)前的2%。在7nm成本比較中,7nm的EUV生產(chǎn)效率在80片/小時的耗電成本是14nm的傳統(tǒng)光刻生產(chǎn)效率在240片/小時耗電成本的1倍,這還不算設備購置成本和掩膜版設計制造成本比較。

莫大康認為EUV工藝面臨三大挑戰(zhàn):首先是光源效率,即每小時刻多少片,按照工藝要求,要達到每小時250片,而現(xiàn)在EUV光源效率達不到這個標準,因此還需進一步提高,且技術難度相當大。其次是光刻膠,光刻膠的問題主要體現(xiàn)在:EUV光刻機和普通光刻機原理不同,普通光刻機采用投影進行光刻,而EUV光刻機則利用反射光,要通過反光鏡,因此,光子和光刻膠的化學反應變得不可控,有時候會出差錯,這也是迫切需要解決的難題。最后是光刻機保護層的透光材料,隨著光刻機精度越來越高,上面需要一層保護層,現(xiàn)在的材料還不夠好,透光率比較差。在以上三個挑戰(zhàn)中,光源效率是最主要的。此外,EUV光刻工藝的良率也是阻礙其發(fā)展的“絆腳石”。目前,采用一般光刻機生產(chǎn)的良率在95%,EUV光刻機的良率則比它低不少,在70%~80%之間。莫大康表示,解決上述問題,關鍵是訂單數(shù)量,只有訂單多了,廠商用的多了,才能吸引更多光源、材料等上下游企業(yè)共同參與,完善EUV產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

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