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[導讀]在切換音頻和視頻信號時,難點在于如何避免引入噪聲,以及因設備電阻或附帶電容導致的信號損失。雖然 CMOS 模擬開關既有效又高效,但設計人員需要了解關鍵的參數折衷才能正

在切換音頻和視頻信號時,難點在于如何避免引入噪聲,以及因設備電阻或附帶電容導致的信號損失。雖然 CMOS 模擬開關既有效又高效,但設計人員需要了解關鍵的參數折衷才能正確使用它們。在音頻或視頻信號源間切換可能非常棘手。大多數機械開關或繼電器并非為切換多媒體信號而設計,并且可能產生干擾,例如較大的爆音或視覺干擾。開關電路可以從頭設計,但這會增加設計復雜性和時間。

為解決此問題,可以使用簡單的 CMOS 模擬開關。它們的工作原理與小型半導體繼電器相似,允許電流在兩個方向流動,且損耗較低。憑借先開后合和低導通電阻等特性,可消除切換期間的音頻或視覺噪聲,同時減少信號損失。但在實踐中,在使用模擬開關之前,設計人員還需要考慮各種規(guī)格的權衡。本文將首先討論模擬開關基礎知識和相關的設計權衡,然后介紹合適的解決方案及其使用方法。

模擬開關使用并行的 P 溝道 MOSFET 與 N 溝道 MOSFET 來創(chuàng)建雙向開關。ON Semiconductor 的 NS5B1G384 SPST 常閉模擬開關便是一個簡單的 CMOS 模擬開關示例(圖 1)。控制輸入根據器件配置是常開 (NO) 還是常閉 (NC),將適當的逆變和非逆變信號發(fā)送到 MOSFET 柵極。

 

 

圖 1:簡單 SPST 模擬開關的高級表示。單個觸點根據控制輸入信號 IN 的狀態(tài)來接通和斷開

理想情況下,模擬開關應具有盡可能低的開關電阻 (RON)。實現方法是設計 CMOS 開關,通過增加 MOSFET 漏極/源極面積,為電子流動創(chuàng)造更多表面積并降低導通電阻。但是,增加表面積具有增大寄生電容的缺點。在較高頻率下,此寄生電容可能成為一個問題,即形成低通濾波器從而導致失真。電容器還會因充電和放電時間而導致傳播延遲。

在為給定應用選擇 CMOS 開關時,權衡 RON 與寄生電容是關鍵。并非每個應用都需要低 RON,并且在某些情況下,模擬開關與電阻負載串聯(lián),使得 RON 可以忽略不計。但對于視頻信號,權衡 RON 與寄生電容就變得很重要。隨著 RON 的減小,寄生電容會增加。這會切斷高頻信號,導致帶寬降低或失真。

對于圖 1 所示的 NS5B1G384 案例而言,該器件具有 4.0 Ω(典型值)的較低 RON。寄生電容非常低,為 12 皮法 (pF),因而此開關可適用高至 330 MHz 的信號。

要在兩個音頻信號輸出之間切換音頻輸入信號,須將音頻輸入連接到兩個 NS5B1G384 開關的 COM 引腳。將每個開關的 NC 引腳連接到其各自的變換器,例如耳機和揚聲器。請注意,一次只能選擇一個 IN 引腳。

在此配置中,模擬開關的導通時間和關斷時間變得很重要。對于 NS5B1G384,導通時間為 6.0 納秒 (ns),關斷時間為 2.0 ns。使用多個開關時,更快的關斷時間可實現先開后合功能。這確保了在連接一個開關之前先斷開另一個開關,從而防止兩個負載同時連接。這還減少了在切換音頻信號時不時在音頻設備上聽到的爆音。

另一種在兩個音頻信號輸出之間切換的替代解決方案是使用兩個 SPDT 模擬開關。例如,Analog Devices 的 ADG884BCPZ-REEL 在一個封裝中包含了兩個 SPDT 模擬開關。使用 5 V 電源時,兩個開關的 RON 都很低,介于 0.28 Ω(典型值)和 0.41 Ω(最大值)之間,因而適合低損耗音頻信號切換。但如此低的 RON 也要付出代價。開關打開時,模擬開關觸點之間的寄生電容為 295 pF。

ADG884 可通過開關處理 400 mA 電流,因而適合從音頻放大器直接驅動揚聲器(圖 2)。

如何使用模擬開關動態(tài)切換音頻和視頻信號

圖 2:該基本電路使用單個 Analog Devices ADG884 在兩個音頻輸出設備之間切換

為了最大限度降低 EMI 將噪聲注入音頻輸出的可能性,音頻放大器在印刷電路板上的位置應盡可能靠近 ADG884。耳機插孔也應盡可能靠近 ADG884。如果揚聲器不使用插孔,則應在 ADG884 和揚聲器之間使用屏蔽音頻線。

如果音頻輸入信號為差分對,則信號對 S1A/S1B、S2A/S2B 和 D1/D2 在印刷電路板上的布線位置應彼此相鄰,以抵消任何共有干擾,進而消除揚聲器或耳機的噪聲。

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