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[導(dǎo)讀]MOSFET簡介■MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管.■MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代,

MOSFET簡介

■MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管.

■MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。

■功率MOSFET在上世紀80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要的主角器件。

MOSFET的一些主要參數(shù)

■耐壓:通常所說的VDS,或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個參數(shù)的呢?

■上面這個例子顯示,當驅(qū)動電壓為0,Vds達到200V的時候,Id這個電流達到了250uA,這個時候認為已經(jīng)達到擊穿電壓。

■不同的廠家對此定義略有不同,但是基本上來說,當電壓超過擊穿電壓,MOS的漏電流就會急劇上升。

■導(dǎo)通電阻:

■MOSFET在導(dǎo)通之后,其特性可以近似認為是一個電阻

■上面這個例子表示,在驅(qū)動電壓為10V的時候,導(dǎo)通電阻為0.18歐姆

■導(dǎo)通電阻的溫度關(guān)系:

■MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時候,為20度時候的2倍。

 

 

■導(dǎo)通閥值電壓:就是當驅(qū)動電壓到達該值之后,可認為MOS已經(jīng)開通。

■上面這個例子,可以看到當Vgs達到2-4V的時候,MOS電流就上升到250uA。這時候可認為MOS已經(jīng)開始開通。

■驅(qū)動電壓和導(dǎo)通電阻,最大導(dǎo)通電流之間的關(guān)系

■從下圖可以看到,驅(qū)動電壓越高,實際上導(dǎo)通電阻越小,而且最大導(dǎo)通電流也越大

 

 

■導(dǎo)通閥值電壓隨溫度上升而下降

■MOSFET的寄生二極管

 

 

 

 

■寄生二極管比較重要的特性,就是反向恢復(fù)特性。這個在ZVS,同步整流等應(yīng)用中顯得尤為重要。

 

 

■MOSFET的寄生電容

■這三個電容的定義如下:

■MOS的寄生電容都是非線性電容,其容值和加在上面的電壓有關(guān)。所以一般的MOS廠家還會用另外一個參數(shù)來描述這個特性:

■用電荷來描述

MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

■MOS雖然是電壓型驅(qū)動,但是由于寄生電容的存在,必須要求驅(qū)動電路提供一定的驅(qū)動電流。

■較小的驅(qū)動電流,會導(dǎo)致MOS的GS電壓上升緩慢,降低了開關(guān)速度,提高了開關(guān)損耗。

■米勒電容Cgd

 

 

 

 

■米勒電容雖然看起來很小,但是對驅(qū)動的影響很大,特別在VDS比較高的場合。但是在ZVS和同步整流等應(yīng)用中,由于VDS會在驅(qū)動上來之前,下降到零,就不存在這個問題。

■上面的例子定義驅(qū)動能力為峰值電流(在特定條件下)

■有些廠商就用內(nèi)阻來定義驅(qū)動能力。

■當IC本身的驅(qū)動能力不足的時候,就需要外加驅(qū)動電路來增強驅(qū)動能力,以達到快速開關(guān)MOS的需求

■1.采用分立器件,比如圖騰柱。

■2.采用集成的驅(qū)動IC.

■MOSFET的低端(low side)驅(qū)動:

■所謂低端驅(qū)動,就是驅(qū)動電路的參考地,就是MOS的S端。

 

 

■低端驅(qū)動,電路往往比較簡單,除了驅(qū)動能力之外,還是需要注意一些細節(jié)。

 

 

■MOSFET的高端(High Side)驅(qū)動

■很多情況下,MOSFET的S極并不是IC的參考地,比如BUCK開關(guān)管,橋式電路的上管……

 

 

 

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■自舉驅(qū)動,利用自舉電路,自動抬升供電電壓。自舉的驅(qū)動芯片種類很多,但是需要注意其耐壓。

 

 

■對于二極管整流的buck,自舉驅(qū)動需要注意的問題。

 

 

 

 

 

 

■利用變壓器隔離驅(qū)動:

■對于浮地的MOS,或者和IC隔離的MOS,通常可以采用變壓器隔離驅(qū)動

■變壓器隔離驅(qū)動的關(guān)鍵:

■變壓器隔離驅(qū)動關(guān)鍵考慮的問題,就是變壓器的復(fù)位,比較常用是利用隔直電容來復(fù)位,但是需要注意的是,采用隔直電容之后,有可能變壓器傳遞的電壓幅度和占空比有關(guān)。需要考慮變壓器的變比。

■對于跨初次級的驅(qū)動變壓器,還需要考慮其耐壓的問題。

■利用簡單倍壓電路來抬升驅(qū)動電壓。

■下圖的驅(qū)動電路,可以傳遞大占空比的驅(qū)動信號,而且可以讓驅(qū)動電壓不下降。

■隔直電容帶來的問題:a

■由于隔直電容會儲存能量,所以在驅(qū)動消失之后,隔直電容會和變壓器產(chǎn)生諧振,導(dǎo)致驅(qū)動電路傳遞錯誤的驅(qū)動信號。

 

 

■為了降低這個問題的影響??梢岳眠@些電阻來阻尼這個震蕩。

 

 

■對具有隔直電容的驅(qū)動電路,有些IC會植入soft stop的功能:在關(guān)機時候,讓驅(qū)動的占空比逐漸降低到0.

 

 

■為了避免這個隔直電容帶來的問題,可以采用無電容的變壓器驅(qū)動電路。

 

 

■如果用IC直接驅(qū)動變壓器,那么需要注意:

 

 

■同步整流驅(qū)動,需要注意邏輯的問題

 

 

■同步整流2個管子的驅(qū)動關(guān)系為互補,但是當主管長時間關(guān)斷的時候,整流管就會出現(xiàn)長時間導(dǎo)通的情況。

■所以在關(guān)機的時候,不能簡單的把主管驅(qū)動信號置低,而要同時把整流管的驅(qū)動信號也置低。

 

 

■MOS的并聯(lián)驅(qū)動,并聯(lián)驅(qū)動要盡量保證每個管子的驅(qū)動線對稱。

 

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