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[導(dǎo)讀]電能是現(xiàn)代社會(huì)運(yùn)行的能量基礎(chǔ),電能通過(guò)電源設(shè)備進(jìn)行規(guī)格轉(zhuǎn)換,將符合要求的電能輸送給用電設(shè)備。在電源設(shè)備轉(zhuǎn)換電能的過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生能量損耗。電源作為電能與用電設(shè)備的

電能是現(xiàn)代社會(huì)運(yùn)行的能量基礎(chǔ),電能通過(guò)電源設(shè)備進(jìn)行規(guī)格轉(zhuǎn)換,將符合要求的電能輸送給用電設(shè)備。在電源設(shè)備轉(zhuǎn)換電能的過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生能量損耗。電源作為電能與用電設(shè)備的接口無(wú)處不在,任何一點(diǎn)的損耗都會(huì)被極度放大,無(wú)論從成本角度還是從環(huán)境保護(hù)的角度,我們都不能忽視這些損耗,于是降低損耗,提高電源效率就成了科研和工程人員孜孜不倦的追求。

TDTTP4000W066B采用非隔離結(jié)構(gòu),具有功率因數(shù)校正(PFC)功能,采用圖騰柱拓?fù)洌梢暂敵?kW的功率,并且效率極值宣稱可達(dá)99%。電源板高效率得以實(shí)現(xiàn),阿主要得益于核心功率器件GaN FET。該器件具有低反向恢復(fù)電荷。通過(guò)GaN FET的使用,可以增加電源板功率密度,減小電路系統(tǒng)尺寸和重量,降低系統(tǒng)成本。

TDTTP4000W066B 開(kāi)箱

外包裝采用白色瓦楞紙包裝盒,表面貼產(chǎn)品簡(jiǎn)介貼紙,簡(jiǎn)潔實(shí)用。不過(guò)從視覺(jué)上中規(guī)中矩,如果包裝更精美一些,絕對(duì)提高印象分。

 

 

打開(kāi)盒子,可以看到盒子頂部和底部分別有25mm厚的減震海綿。盒子內(nèi)部有防靜電包裝袋密封的電源評(píng)估板,快速指導(dǎo)說(shuō)明書,評(píng)估板輔助電源。

 

 

評(píng)估板主要電性能參數(shù):

輸入電壓: 85VAC ~ 265VAC, 47Hz ~ 63Hz

輸入電流: 18A(2000W at 115VAC)或(4000W at 230VAC) 10% 短時(shí)過(guò)載

環(huán)境溫度 <50?C

輸出電壓: 387VDC ± 5VDC

PWM 頻率: 66kHz

輔助電源12VDC

尺寸:225mmX152mmX85mm

相關(guān)資料

對(duì)于TDTTP4000W066B ,Transphorm在其官網(wǎng)上提供了非常詳細(xì)的資料,包括電源板的技術(shù)文檔,設(shè)計(jì)文件和BOM(元器件明細(xì))。

 

 

 

 

 

 

硬件介紹

打開(kāi)防靜電包裝袋,取出電源板。作為功率4kW的電源,它的尺寸著實(shí)驚到了筆者,因此筆者特地去幾家大型電子器件網(wǎng)站查了相關(guān)電源類產(chǎn)品,同功率等級(jí)電源產(chǎn)品極少,只找到一款,且體積比此電源板大的多。下圖是電源評(píng)估板和紅米5 PLUS的對(duì)比??梢?jiàn),該電源板功率密度是極高的。

 

 

電源板的元器件絕大多數(shù)放置在電路板正面,從下圖中可以看到元器件并不是很擁擠,能明顯的看到元器件之間的間隔。大部分空間被電感、電容占據(jù)。電路板的背面,有少量元器件,主要有9個(gè)尼龍支柱,便于電源板的放置。

 

 

輔助電源12VDC,給控制卡和散熱風(fēng)扇供電。

 

 

控制卡采用TI的TMDSCNCD28335,該卡控制核心基于TMS320F28335芯片,可以單獨(dú)購(gòu)買。控制卡插入卡槽,并用卡子卡住用來(lái)防震。

 

 

如下圖所示,4kW的功率是通過(guò)兩個(gè)GaN FET和兩個(gè)MOSFET輸出,GaN FET和MOSFET與一白色墊塊接觸,白色墊塊與散熱器接觸,接觸面涂導(dǎo)熱硅脂。GaN FET通過(guò)螺釘緊固,MOSFET通過(guò)夾子夾緊。資料中無(wú)白色墊塊介紹,筆者認(rèn)為白色墊塊是某種散熱材料,用在這里適配FET與散熱器之間的距離。散熱通過(guò)兩個(gè)風(fēng)扇強(qiáng)制風(fēng)冷一塊小小的散熱器完成。[!--empirenews.page--]

 

 

需要著重介紹一下GaN FET,作為電路核心功率器件,本電源板使用的是Transphorm公司的TP65HO35WS 650V、35 mΩ。該器件結(jié)合了先進(jìn)的高電壓 GaN HEMT 和低電壓硅 MOSFET 技術(shù),具有出色的可靠性和性能。TP65HO35WS通過(guò)更低的柵極電荷、更低的交越損耗和更小的反向恢復(fù)電荷Qrr,提升了硅器件的效率。TP65H035WS封裝為TO-247,封裝形式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)下圖。

 

 

TP65H035WS關(guān)鍵參數(shù)見(jiàn)下表

 

 

TP65H035WS應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)見(jiàn)下表

 

 

電源板采用圖騰柱式無(wú)橋PFC拓?fù)?,相比傳統(tǒng)的Dual-boost效率更高,成本更低。傳統(tǒng)拓?fù)湫枰?個(gè)MOSFET,2個(gè)電感,2個(gè)碳化硅二極管(D1,D2)。采用GaN FET的圖騰柱無(wú)橋PFC只要一個(gè)電感,2個(gè)GaN FET,另D1,D2可以用二極管或等同內(nèi)阻的MOSFET以實(shí)現(xiàn)更高效率。

 

 

圖騰柱式無(wú)橋PFC拓?fù)渲?,GaN FET Q1、Q2組成高頻支路,工作在66kHz頻率下。MOSFET S1、S2組成低頻支路,工作在工頻(50/60Hz)。在輸入電壓正半周期,S1開(kāi)通,S2關(guān)斷。此時(shí),高頻支路有兩個(gè)模態(tài):Q1導(dǎo)通,Q2關(guān)斷,外部電源給電感L充電,電容負(fù)責(zé)為負(fù)載供電,電流走向見(jiàn)下圖。當(dāng)Q1關(guān)斷,Q2導(dǎo)通時(shí),外部電源和電感共同給負(fù)載和電容供電。在輸入電壓負(fù)半周期,S2開(kāi)通,S1關(guān)斷,同理,高頻支路同樣有兩個(gè)模態(tài)。在Q1,Q2開(kāi)關(guān)切換的死區(qū)時(shí)間,電感電流方向不變,通過(guò)GaN FET的體二極管續(xù)流。

 

 

最終,電能在電源板中的路徑如下圖藍(lán)色箭頭所示。

 

 

電源評(píng)估板上電測(cè)試

測(cè)試環(huán)境:輸入使用10KW自耦調(diào)壓器,輸出負(fù)載使用純阻性大功率電阻箱,輸入輸出分別使用電壓表電流表監(jiān)控,溫度使用熱像儀監(jiān)測(cè)。

注意,先上控制電,再上功率電;先斷功率電,再斷控制電。

 

 

電源板上電實(shí)測(cè)前,截了一張非PFC校正的電壓電流波形,作為參照。如下圖所示,電流波形畸變嚴(yán)重,含有大量的高次諧波,電能損耗很大,對(duì)電網(wǎng)也是嚴(yán)重污染。

 

 

經(jīng)過(guò)電源板進(jìn)行PFC校正后,電壓電流波形,如下圖所示。從圖中可以看出,經(jīng)過(guò)PFC校正后的電流波形與電壓波形基本一致,在負(fù)半周期向正半周期轉(zhuǎn)變的過(guò)零點(diǎn),兩波形重合,在一個(gè)周期內(nèi),電流波形稍稍超前電壓波形。

 

 

校正前后,波形對(duì)比非常明顯。

下面是實(shí)際的一些測(cè)試結(jié)果,其中在230V中載的時(shí)候效率高達(dá)恐怖的99%。

230V滿載測(cè)試情況:

 

 

230V中載測(cè)試情況:

 

 

TDTTP4000W066B電源板實(shí)際測(cè)試效率計(jì)算如下表:

 

 

從上表我們可以看出,輸出電壓還是非常穩(wěn)定,高效區(qū)比較寬,我們?cè)跍y(cè)試的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)多數(shù)效率都在98.5%以上,并且實(shí)測(cè)部分在230V輸入電壓時(shí)中載時(shí)刻最高的效率接近99%。同時(shí)也由于測(cè)試環(huán)境、測(cè)試條件的限制,還是沒(méi)能測(cè)到官方的最高效率值,有些遺憾。但即便是現(xiàn)在所測(cè)的效率,也是絕對(duì)有競(jìng)爭(zhēng)力的。目前來(lái)看,該電源板是在售同功率等級(jí)產(chǎn)品中效率最高的。筆者的測(cè)試,模擬負(fù)載過(guò)程接近于實(shí)際工況,所測(cè)參數(shù)對(duì)終端客戶具有較強(qiáng)的參考價(jià)值。

小結(jié)

高效的意義,不僅僅是節(jié)約了電能,節(jié)省電費(fèi)開(kāi)支。高效率還對(duì)應(yīng)著低損耗,散熱少,整體電源系統(tǒng)在熱設(shè)計(jì)上的壓力就會(huì)減少,結(jié)構(gòu)隨即減小,重量降低,電源的設(shè)計(jì)和制造成本就會(huì)減少,產(chǎn)品會(huì)更有競(jìng)爭(zhēng)力。Transphorm 的TDTTP4000W066B電源評(píng)估板很好的體現(xiàn)了上述意義。設(shè)計(jì)清晰明了,控制部分是德州的DSP,主電路結(jié)構(gòu)為圖騰柱式無(wú)橋PFC。4000W功率的PFC電感直徑達(dá)到了70mm。主控管使用了氮化鎵,氮化鎵沒(méi)有反向恢復(fù)問(wèn)題,效率高,開(kāi)關(guān)速度快。

從該電源評(píng)估板的電壓輸入和輸出,功率輸出來(lái)看,筆者推測(cè)該電源板的設(shè)計(jì)標(biāo)的極有可能是電動(dòng)汽車充電器。隨著電動(dòng)汽車越來(lái)越普及,該電源板的大功率高效特性必定可以產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

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