臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝，不過臺(tái)媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題，這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限，在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋果的情況下，對(duì)另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息。

聯(lián)發(fā)科由于一直難在高端市場(chǎng)上獲得突破，所以這次狠下心來要采用臺(tái)積電的最先進(jìn)工藝10nm生產(chǎn)高端芯片helio X30，并且為了在中端芯片上與高通競(jìng)爭(zhēng)其中端芯片helio P35也采用10nm工藝。

由于當(dāng)下聯(lián)發(fā)科所有芯片都不支持中國移動(dòng)要求的LTE Cat7技術(shù)，因此中國手機(jī)企業(yè)紛紛放棄聯(lián)發(fā)科芯片而采用高通的芯片，這更要求聯(lián)發(fā)科盡快將helio X30和P35推出市場(chǎng)，據(jù)說這兩款芯片都支持LTE Cat10技術(shù)。

臺(tái)積電的10nm工藝量產(chǎn)時(shí)間本來就較晚，比三星晚了兩個(gè)月，如今再傳出其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題，對(duì)于聯(lián)發(fā)科來說可謂是雪上加霜的事情。

從臺(tái)積電一貫以來的做法，其在20nm工藝上優(yōu)先照顧蘋果導(dǎo)致長期大客戶高通的離開，在16nmFinFET工藝上優(yōu)先照顧蘋果導(dǎo)致華為海思選擇同時(shí)開發(fā)兩款高端芯片麒麟960和麒麟970，其中麒麟960選用16nmFinFET工藝先量產(chǎn)面市而麒麟970則可以悠閑的等待臺(tái)積電10nm工藝的成熟，可知臺(tái)積電毫無疑問的在10nm工藝上會(huì)再次優(yōu)先照顧蘋果。

當(dāng)下基本可以確定蘋果會(huì)采用臺(tái)積電的10nm工藝生產(chǎn)A10X、A11、A11X芯片，A10X將用于在3月份發(fā)布的新iPad Pro上，第二季度將要開始用該工藝生產(chǎn)A11，三季度或四季度或會(huì)開始用該工藝生產(chǎn)A11X芯片，在臺(tái)積電的10nm工藝良率需要時(shí)間提升而蘋果這幾款芯片又占去大部分產(chǎn)能的情況下，能提供給聯(lián)發(fā)科的產(chǎn)能將會(huì)極為有限。

臺(tái)積電的10nm工藝在供應(yīng)給蘋果剩下的產(chǎn)能當(dāng)中又要面臨聯(lián)發(fā)科和華為海思的爭(zhēng)奪，所以這部分產(chǎn)能只是用于生產(chǎn)聯(lián)發(fā)科的helio X30都有一定的難度，更別說生產(chǎn)helio P35了，因?yàn)閺慕衲甑那闆r來看聯(lián)發(fā)科的P系芯片才是銷量最大的。

在這樣的情況下，聯(lián)發(fā)科最好的做法是趕快將helio P35轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的16nmFinFET工藝，其實(shí)當(dāng)下高通、華為海思的中端芯片分別采用三星的14nmFinFET、臺(tái)積電的16nmFinFET工藝，因此helio P35即使采用16nmFinFET工藝與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是處于同一水平的，并不會(huì)處于不利的競(jìng)爭(zhēng)地位，怪只怪聯(lián)發(fā)科太相信臺(tái)積電的工藝研發(fā)進(jìn)程了。

毫無疑問的是，聯(lián)發(fā)科將因helio X30和P35無法及時(shí)上市而在今年四季度和明年一季度處于不利的競(jìng)爭(zhēng)位置。展訊則可能是獲益者之一，它已開發(fā)出支持LTE Cat7技術(shù)的芯片，而且獲得了Intel的14nmFinFET(該工藝與臺(tái)積電和三星的10nm工藝相當(dāng))工藝支持，加上地利優(yōu)勢(shì)可能因此在大陸市場(chǎng)獲得部分國產(chǎn)手機(jī)品牌的支持，它在3G市場(chǎng)對(duì)聯(lián)發(fā)科造成了較大的打擊，如今聯(lián)發(fā)科的錯(cuò)誤選擇給它提供了極佳的機(jī)會(huì)。

當(dāng)然對(duì)于臺(tái)積電來說，16nmFinFET、10nm工藝均不能如期量產(chǎn)打擊了客戶的信心，據(jù)說其5nm工藝也有可能無法如期量產(chǎn)導(dǎo)致高管出現(xiàn)變動(dòng)，再加上每次都優(yōu)先照顧蘋果的做法必然會(huì)讓其他客戶心生疑慮，高通會(huì)否在7nm工藝上轉(zhuǎn)單回臺(tái)積電值得思量。