按照我國半導體產業(yè)發(fā)展規(guī)劃看，存儲芯片是最優(yōu)先的，而紫光占據了這股發(fā)展力量的主力，去年7月，他們參與了長江存儲科技有限責任公司的投資，這是個總投資1600億元的國家存儲器項目，主攻3D NAND(2018年將啟動第二期建設，規(guī)劃是上DRAM內存芯片，2019年啟動第三期建設，主要目標是代工服務)。

有報道稱，長江存儲CEO楊士寧透露，他們與與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)的32層3D NAND芯片，已經順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。

對于這樣的成績楊士寧強調，一直以來我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產權和關鍵技術缺乏的困境，現(xiàn)在長江存儲成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關鍵一步。

據悉，長江存儲對三維存儲結構進行建模，采用根據層數(shù)可調制的編程、讀取電壓配置，補償了器件特性隨陣列物理結構的分布差異，降低了單元串擾影響，保證了芯片達到產品級的功能和性能指標。

長江存儲最快2017年底正式推出3D NAND閃存，32層堆棧結構，也就是說我們今年有可能看到真正國產的閃存芯片了。

從自身實力來看，國產3D NAND閃存32層堆棧的起點已經相當可以了，三星、Hynix、東芝、美光等公司第一代3D閃存也不過是24層堆棧，不過現(xiàn)在看32層堆棧的還算是主流，但想想身后的48層、64層堆棧的3D閃存，所以加快技術儲備推進研發(fā)才是最應該堅持不懈的。