Intel、美光發(fā)布3D XPoint閃存已經(jīng)一年多了，號(hào)稱性能、可靠性是NAND閃存的1000倍，容量密度是后者10倍，各種黑科技秒殺當(dāng)前的閃存水平。從去年底開始有少量基于3D XPoint閃存的Optane硬盤問世，消費(fèi)級(jí)容量是16/32GB，企業(yè)級(jí)有個(gè)375GB的DC P4800X系列，隨機(jī)性能確實(shí)很強(qiáng)大。不過Intel迄今為止都沒有公布過3D XPoint閃存的技術(shù)內(nèi)幕，好在現(xiàn)在可以確定一點(diǎn)了，那就是375GB的DC P4800X硬盤使用的是20nm工藝。

Intel當(dāng)年發(fā)布3D XPoint閃存之后并沒有透露該技術(shù)的細(xì)節(jié)，只說它是不同于NAND閃存的新型存儲(chǔ)技術(shù)，性能、可靠性及密度全面領(lǐng)先當(dāng)前NAND產(chǎn)品。Intel不公開技術(shù)內(nèi)幕大概是為了保密，業(yè)界早前也在猜測(cè)3D XPpint閃存有可能是基于PCM相變技術(shù)的，也有說是ReRAM技術(shù)的，只是這些都無法證實(shí)。

現(xiàn)在有人爆料了DC P4800X硬盤的PCN通知書，里面提到了它是基于20nm工藝的，只是Intel以往的PCN通知都是公開的，但這次需要授權(quán)用戶登錄才能看到，所以普通人也無法查閱具體細(xì)節(jié)了。

Intel使用20nm工藝制造3D XPoint閃存也不算意外，雖然在進(jìn)入3D閃存之后廠商就很少公布具體的制程工藝了，大多時(shí)候只公布堆棧層數(shù)，不過大部分3D閃存使用的制程工藝都不會(huì)很先進(jìn)，三星早期的V-NAND閃存使用的還是40nm工藝，幾年前的制程工藝了，聽上去落后，但實(shí)際上是好事，因?yàn)樘嵘芏瓤梢钥繉?duì)堆棧層數(shù)，更“落后”的工藝往往有更好的可靠性。