還記得我們之前報(bào)道過(guò)的ReRAM（可變電阻式記憶體）嗎？不記得的話也沒(méi)有關(guān)系，你只要知道兩點(diǎn)就行了：它的速度要遠(yuǎn)高于NAND型閃存；Elpida、夏普、松下這些廠商已經(jīng)將此項(xiàng)技術(shù)運(yùn)用到自己的芯片產(chǎn)品中去了。而最近來(lái)自倫敦大學(xué)學(xué)院（UniversityCollegeLondon）的一項(xiàng)研究成果更是讓我們看到了ReRAM美好的未來(lái)。那里的研究者制造了一種芯片，其速度可達(dá)普通閃存的100倍。它由二氧化硅（siliconoxide）制成，因此芯片的電阻表現(xiàn)更佳，另外因?yàn)槠洳恍枰婵丈a(chǎn)，所以造價(jià)也比較便宜。除了比閃存速度更快之外，藉助其對(duì)各種傳導(dǎo)率的適應(yīng)能力這款晶片也可以被當(dāng)做憶阻器使用。另外在數(shù)據(jù)處理和任務(wù)儲(chǔ)存方面，它同樣也是一把好手。研究者們希望能憑藉這項(xiàng)技術(shù)開(kāi)拓二氧化硅CPU市場(chǎng)，除此之外他們也已經(jīng)將此設(shè)計(jì)運(yùn)用到了移動(dòng)設(shè)備透明記憶晶片的開(kāi)發(fā)當(dāng)中。