想必很多選擇 iPhone 的消費(fèi)者都是因?yàn)樗?jiǎn)單好用，運(yùn)行流暢，即便用上幾年也依然能夠勝任日常的大部分操作。在這里蘋(píng)果獨(dú)有的 iOS 系統(tǒng)自然功不可沒(méi)，但這并不是 iPhone 能夠運(yùn)行更加流暢的主要原因，在 iPhone 內(nèi)部的特殊元件才是讓手機(jī)流暢運(yùn)行的關(guān)鍵。

我們每天使用手機(jī)必定要做的一件事就是打開(kāi)各式各樣的 App，手機(jī)載入應(yīng)用程序速度的快慢就成為了手機(jī)運(yùn)行流暢與否的決定性因素，而這恰恰取決于存儲(chǔ)芯片的讀寫(xiě)速度。

近日，國(guó)外知名評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu) AnandTech 就對(duì)市面上主流機(jī)型的讀寫(xiě)速度進(jìn)行了一次詳細(xì)測(cè)試。

測(cè)試對(duì)象包括 iPhone 6s Plus、三星 Galaxy S7、S6、S6 edge、小米 Note Pro、華為 P8、Mate 8 等常見(jiàn)的手機(jī)。

測(cè)試結(jié)果顯示，iPhone 6s Plus 的整體成績(jī)最佳，讀取與寫(xiě)入速度都大幅超越了其它對(duì)手，其中 iPhone 6s Plus 寫(xiě)入速度高達(dá) 163.2 MB/s，而排名第二的三星 Galaxy S7 寫(xiě)入速度為 61.49MB/s，速度差距竟然有兩倍之多。

在讀取部分的測(cè)試當(dāng)中，iPhone 6s Plus 依然成績(jī)最佳，成績(jī)?yōu)?402.35 MB/s，排名第二位的三星 Galaxy S7 寫(xiě)入速度為 233.27 MB/s，差距依然非常明顯。

AnandTech 表示，iPhone 的讀寫(xiě)速度之所以能夠這么快，主要是因?yàn)椴捎昧颂O(píng)果自家的 PCI-E NVMe 控制器技術(shù)，這也使得它的讀寫(xiě)速度能夠大幅超越采用 eMMC 和 UFS 的手機(jī)。另外在最新的測(cè)試中，采用 UFS 2.1 的三星 Galaxy Note 7 雖然在讀寫(xiě)速度上有了大幅提升，但同樣未能打破 iPhone 6s Plus 所創(chuàng)下的記錄，這也是 iPhone 的生命周期能夠更長(zhǎng)的保障。

我們?cè)谠u(píng)判一款手機(jī)硬件規(guī)格的高低時(shí)，往往只能看到處理器有多少核心，運(yùn)存有多少，存儲(chǔ)空間有多大，電池容量有多高等等，但在這些表面參數(shù)的背后，一些用戶(hù)輕易無(wú)法知曉的內(nèi)部細(xì)節(jié)才是決定一款手機(jī)運(yùn)行是否流暢的關(guān)鍵因素。