2021 年 10 月25 日 - 德國慕尼黑訊 - 以負責任的方式使用能源，是能源效率領(lǐng)域創(chuàng)新的基本要素，同時也將助力打造一個更環(huán)保的地球。全球功率半導體市場的領(lǐng)導者英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)在滿足未來需求的半導體技術(shù)和解決方案方面持續(xù)投資和創(chuàng)新，以打造環(huán)境友好的應(yīng)用，實現(xiàn)高效能以及設(shè)計簡易性。
局部放電（partial discharge，簡稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個區(qū)域的電場強度一旦達到其介質(zhì)擊穿場強時，該區(qū)域就會出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導電通道為限。每一次局部放電對絕緣介質(zhì)都會有一些影響，輕微的局部放電對電力設(shè)備絕緣的影響較小，絕緣強度的下降較慢；而強烈的局部放電，則會使絕緣強度很快下降。
德國慕尼黑 - 2021年10月27日 - 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出首款汽車電流傳感器——全新XENSIV? TLE4972。這款無磁芯電流傳感器采用英飛凌久經(jīng)考驗的霍爾技術(shù)，可用于精確和穩(wěn)定的電流測量。憑借其緊湊型設(shè)計和診斷模式，TLE4972是用于混合動力汽車和電池驅(qū)動汽車的牽引逆變器等xEV應(yīng)用、以及電池主開關(guān)的理想選擇。
慕尼黑和加州圣何塞--2021年10月21日--移動出行、能效和物聯(lián)網(wǎng)半導體領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天宣布與非營利組織Rainforest Connection(RFCx)達成合作，利用聲學技術(shù)、大數(shù)據(jù)和人工智能/機器學習來拯救雨林和監(jiān)測生物多樣性。在這個合作項目中，RFCx將嘗試使用英飛凌的氣體傳感技術(shù)來提升和擴展其目前用于監(jiān)測和保護脆弱的雨林生態(tài)系統(tǒng)的聲學監(jiān)聽設(shè)備的能力。這包括監(jiān)測靈長類動物、鳥類、青蛙、昆蟲、蝙蝠和其他生物，并通過這項合作來保護森林免受非法采伐及火災(zāi)的種種威脅。
傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設(shè)計中，采用硅材料的功率晶體要達到低通態(tài)電阻，必須采用超級結(jié)技術(shù)（superjunction），利用電荷補償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內(nèi)的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。但是采用超級結(jié)技術(shù)的高壓功率晶體，其最大耐壓都在1000V以下。如果要能夠耐更高的電壓，就必須采用碳化硅材料來制造功率晶體。以碳化硅為材料的功率晶體，在碳化硅的高臨界電場強度之下，即使相同耐壓條件之下，其磊晶層的厚度約為硅材料的1/10，進而其所造成的通態(tài)電阻能夠有效被降低，達到高耐壓低通態(tài)電阻的基本要求。
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系，無任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓撲是 PFC 最常見的拓撲。在效率和功率密度的表現(xiàn)上，必須要走向無橋型，才能進一步減少器件使用，減少功率器件數(shù)量與導通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓撲結(jié)構(gòu)，其控制法亦趨于成熟。
雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動保護電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路，優(yōu)化動態(tài)過程，驗證短路保護。
【2021年9月17日，德國慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日，F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)，可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電，從而提高電路板空間利用率，為其他組件釋放空間。
英飛凌的產(chǎn)能擴張對于維持全球供應(yīng)鏈穩(wěn)定具有里程碑式的意義！
作為一家開發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認識到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測試標準，以保證碳化硅器件達到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個特定領(lǐng)域。
【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協(xié)議，共同開發(fā)和生產(chǎn)第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術(shù)，提供更高的效率和功率密度水平。
2021年9月8日，中國上海訊——9月27日，為期三天的深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展(ELEXCON 2021)將隆重開幕。
【2021年9月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
【2021年9月3日，德國慕尼黑訊】在電力電子和半導體市場，系統(tǒng)方法的發(fā)展勢頭越來越好。
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