【2021年9月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
【2021年9月3日，德國慕尼黑訊】在電力電子和半導(dǎo)體市場，系統(tǒng)方法的發(fā)展勢頭越來越好。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
日前，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)市場推廣總監(jiān)陳子穎先生和英飛凌科技電源與傳感事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān)程文濤先生在媒體采訪中就第三代半導(dǎo)體技術(shù)價值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢進行了深入解讀。
【2021年8月23日，德國慕尼黑訊】在英飛凌科技股份公司的協(xié)調(diào)下，“電子元件唯一可識別性的設(shè)計方法和硬件/軟件聯(lián)合驗證”(VE-VIDES)研究項目已經(jīng)開始運作。
英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用工程師周利偉
如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
英飛凌科技股份公司推出的全新MEMS*掃描儀解決方案，由MEMS鏡片和MEMS驅(qū)動器組成，可助力實現(xiàn)全新的產(chǎn)品設(shè)計。
【2021年8月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司和羅伯特·博世有限公司推出了一款用于輕型汽車發(fā)電機的新型超低損耗二極管—有源整流二極管。
近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。
近日，英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
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