21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。

氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非常適合于要求高開關(guān)能效的功率器件及射頻(RF)器件。如今，基于氮化鎵的功率器件成本過高，不適合大批量制造，因為它們使用非標準生產(chǎn)工藝在小半徑的晶圓上制造。

imec的廣泛規(guī)模研究項目著重于開發(fā)200 mm晶圓上的硅基氮化鎵技術(shù)，及降低氮化鎵器件成本和提升性能。imec匯聚領(lǐng)先集成器件制造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導體公司、設備供應商及襯底供應商，已經(jīng)卓有成效地取得重大技術(shù)進步。

2011年，imec的研究項目成功地生產(chǎn)出200 mm硅基氮化鎵晶圓，該工藝讓標準高生產(chǎn)率200 mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開發(fā)了兼容于標準CMOS工藝及工具的制造工藝，這是高性價比工藝的第二個先決條件。

安森美半導體高級副總裁兼首席技術(shù)官(CTO) Hans Stork說：“身為提供寬廣陣容高能效器件的全球20大半導體供應商之一，安森美半導體氮化鎵技術(shù)研究已持之多年，如今正在公司的比利時Oudenaarde生產(chǎn)廠建設氮化鎵工藝線。與imec合作，將鞏固我們現(xiàn)有的市場地位，并將可幫助我們?yōu)榭蛻粼黾佑懈偁幜Φ那把丶夹g(shù)。我們期待與想法相近的公司聯(lián)盟協(xié)作，在此領(lǐng)域進行前瞻性研究。”

imec采用200 mm CMOS兼容型硅基氮化鎵工藝的功率器件

imec智能系統(tǒng)及能源技術(shù)副總裁Rudi Cartuyvels說：“我們的硅基氮化鎵聯(lián)合項目持續(xù)出現(xiàn)非凡進展，不斷推動降低生產(chǎn)成本。安森美半導體最新加盟成為策略項目合作伙伴，進一步推進我們的集體專知。充分利用聯(lián)合研究將幫助我們克服邁向經(jīng)濟的大批量制造的下一個關(guān)卡，最終將氮化鎵功率器件面市。”