IMS Research發(fā)布2010年功率半導(dǎo)體市場報告

時間：2011-07-01 22:07:14

關(guān)鍵字： RESEARCH 功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體市場 IGBT

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[導(dǎo)讀]根據(jù)IMS Research的最新報告，功率半導(dǎo)體市場2010年強(qiáng)勁反彈，年增長率達(dá)到43%，銷售額大概為160億美元，模塊產(chǎn)品增長率達(dá)到了65%，遠(yuǎn)高于分立功率器件。該報告認(rèn)為，英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場份額最大，三菱及

根據(jù)IMS Research的最新報告，功率半導(dǎo)體市場2010年強(qiáng)勁反彈，年增長率達(dá)到43%，銷售額大概為160億美元，模塊產(chǎn)品增長率達(dá)到了65%，遠(yuǎn)高于分立功率器件。

該報告認(rèn)為，英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場份額最大，三菱及富士通在模塊產(chǎn)品中份額增加，而IR、ST及Vishay則主要在分立器件中份額增加。

IMS Research表示，增長主要來源于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、汽車以及計算機(jī)及辦公設(shè)備的增長。

中國市場上IGBT的銷量猛增，主要是由于變頻設(shè)備的熱銷，包括空調(diào)、洗衣機(jī)、電冰箱等家用電器。

前十大供應(yīng)商分別為：

1. Infineon

2. Mitsubishi

3. Toshiba

4. STMicroelectronics

5. Vishay

6. International Rectifier

7. Fairchild