飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組，其設(shè)計特別利用最新的 IMVP (英特爾移動電壓定位) 技術(shù)規(guī)范，在筆記本電腦中優(yōu)化效率和空間。通過飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench® MOSFET技術(shù)，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 會構(gòu)成一個芯片組，為同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，F(xiàn)DS6299S器件的單片電路SyncFET™ 技術(shù)毋須使用外部肖特基二極管，因此能節(jié)省電路板空間和裝配成本。

這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開關(guān)速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導(dǎo)通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設(shè)計之外，快速開關(guān)FDS6298和低導(dǎo)通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設(shè)備等應(yīng)用中的大電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器。

FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特性包括：
§    低總Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速開關(guān)速度，能提高效率；
§    優(yōu)化的芯片和引線框架設(shè)計，能降低封裝阻抗和電感、減小傳導(dǎo)損耗及源極端電感開關(guān)損耗；
§    規(guī)范的Rg和100% 的Rg測試實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的漏源開關(guān)特性。

FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特性包括：
§    低導(dǎo)通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以減小DC損耗；
§    低體二極管損耗 (低 QRR 和低前向電壓降) 以提高效率；
§    軟恢復(fù)特性減少噪聲，低Crss減小交叉?zhèn)鲗?dǎo)的可能性；及
§    低總Qg (31nC @ VGS=5V) 降低柵級驅(qū)動要求。

這些產(chǎn)品均采用無鉛SO-8封裝，能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。

FDS6298/FDS6299S同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組是飛兆半導(dǎo)體采用創(chuàng)新技術(shù)解決計算應(yīng)用特定問題的又一示例。飛兆半導(dǎo)體提供多種相輔相成的產(chǎn)品以滿足今天的設(shè)計挑戰(zhàn)，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多負(fù)載點(diǎn) (POL) 產(chǎn)品。

價格 (訂購1000個)：    FDS6298每個0.62美元
FDS6299S每個1.18美元
供貨：            現(xiàn)貨
交貨期：            收到訂單后12周內(nèi)