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[導讀]專為功率系統(tǒng)設計師而設的EPC2052功率晶體管是一種100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片級封裝的晶體管,可實現74 A脈沖輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉換器,這些新一代氮化鎵場效應晶體管工作在500 kHz頻率下,可實現超過97%的效率。如果工作在1 MHz時,則實現超過96%的效率。

專為功率系統(tǒng)設計師而設的EPC2052功率晶體管是一種100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片級封裝的晶體管,可實現74 A脈沖輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉換器,這些新一代氮化鎵場效應晶體管工作在500 kHz頻率下,可實現超過97%的效率。如果工作在1 MHz時,則實現超過96%的效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2052氮化鎵場效應晶體管,其占板面積只是2.25平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為13.5 mΩ及脈沖輸出電流高達74A 以支持高效功率轉換。

要求更高的效率及更高的功率密度的應用,不需要選擇小尺寸還是高性能了,因為EPC2052可以同時實現小尺寸及高性能! EPC2052的尺寸只是1.5毫米乘1.5毫米(即2.25平方毫米)。EPC2052的占板面積雖然小,它工作在48 V–12 V降壓轉換器、500 kHz頻率下開關及10 A輸出電流時,可實現超過97%的效率!如果在1 MHz、10A輸出電流時,則可實現超過96%的效率。此外,低成本的EPC2052與等效硅MOSFET的成本可比。受惠于EPC2052的高性能、小尺寸及低成本優(yōu)勢的應用包括面向運算及通信系統(tǒng)的48 V輸入功率轉換器、激光雷達、LED照明及D類音頻放大器。

宜普電源轉換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說:“氮化鎵(eGaN)器件在高頻下工作可實現高效率,在性能及成本方面得以擴大與等效硅基器件的績效差距。100 V的EPC2052氮化鎵場效應晶體管比等效MOSFET小型化很多,而且它可以在高頻下工作,從而讓設計師可以進一步節(jié)省占板面積。”

開發(fā)板

EPC9092開發(fā)板的器件的最大電壓為100 V、半橋式、采用EPC2052晶體管及TI公司的柵極驅動器(LMG1205)。開發(fā)板的尺寸為2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米),專為最高開關性能而設,而且包含所有重要組件,使得工程師可以易于對100 V的EPC2052 eGaN FET進行評估。

價格及供貨

EPC2052 eGaN FET在批量為1,000片時的單價為0.68美元,如果批量是100,000片,其單價為0.54美元。EPC9092開發(fā)板的單價為118.75美元。

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