專為功率系統(tǒng)設(shè)計師而設(shè)的EPC2052功率晶體管是一種100 V、13.5 mΩ并采用超小型芯片級封裝的晶體管，可實現(xiàn)74 A脈沖輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉(zhuǎn)換器，這些新一代氮化鎵場效應(yīng)晶體管工作在500 kHz頻率下，可實現(xiàn)超過97%的效率。如果工作在1 MHz時，則實現(xiàn)超過96%的效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2052氮化鎵場效應(yīng)晶體管，其占板面積只是2.25平方毫米、最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為13.5 mΩ及脈沖輸出電流高達74A 以支持高效功率轉(zhuǎn)換。

要求更高的效率及更高的功率密度的應(yīng)用,不需要選擇小尺寸還是高性能了，因為EPC2052可以同時實現(xiàn)小尺寸及高性能! EPC2052的尺寸只是1.5毫米乘1.5毫米(即2.25平方毫米)。EPC2052的占板面積雖然小，它工作在48 V–12 V降壓轉(zhuǎn)換器、500 kHz頻率下開關(guān)及10 A輸出電流時，可實現(xiàn)超過97%的效率!如果在1 MHz、10A輸出電流時，則可實現(xiàn)超過96%的效率。此外，低成本的EPC2052與等效硅MOSFET的成本可比。受惠于EPC2052的高性能、小尺寸及低成本優(yōu)勢的應(yīng)用包括面向運算及通信系統(tǒng)的48 V輸入功率轉(zhuǎn)換器、激光雷達、LED照明及D類音頻放大器。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說：“氮化鎵(eGaN)器件在高頻下工作可實現(xiàn)高效率，在性能及成本方面得以擴大與等效硅基器件的績效差距。100 V的EPC2052氮化鎵場效應(yīng)晶體管比等效MOSFET小型化很多，而且它可以在高頻下工作，從而讓設(shè)計師可以進一步節(jié)省占板面積。”

開發(fā)板

EPC9092開發(fā)板的器件的最大電壓為100 V、半橋式、采用EPC2052晶體管及TI公司的柵極驅(qū)動器(LMG1205)。開發(fā)板的尺寸為2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米)，專為最高開關(guān)性能而設(shè)，而且包含所有重要組件，使得工程師可以易于對100 V的EPC2052 eGaN FET進行評估。

價格及供貨

EPC2052 eGaN FET在批量為1,000片時的單價為0.68美元，如果批量是100,000片，其單價為0.54美元。EPC9092開發(fā)板的單價為118.75美元。